Verständnis der Leistungs-MOSFET-Struktur

Quellmetall: Obere Metallschicht zur Stromerfassung und -verteilung
n+ Quellregionen: Stark dotierte Bereiche für die Ladungsträgerinjektion
p-Körperregion: Erstellt den Kanal für den aktuellen Fluss
n- Driftregion: Unterstützt die Fähigkeit zur Spannungsblockierung
n+ Substrat: Bietet einen widerstandsarmen Weg zum Abfluss
Metall ablassen: Unterer Metallkontakt für Stromfluss

Leistungs-MOSFETs sind entscheidende Komponenten in der modernen Leistungselektronik, die für den Umgang mit hohen Spannungen und Strömen ausgelegt sind. Lassen Sie uns ihre einzigartigen Strukturmerkmale erkunden, die eine effiziente Belastbarkeit ermöglichen.

Übersicht über die Grundstruktur

Quellmetall ║ ╔═══╩═══╗ ║ n+ ║ n+ ║ Quelle ════╝ ╚════ p+ p Körper │ │ n- Driftregion │ │ ════════════════ n+ Substrat ║ ╨ Drain-Metall

Querschnittsansicht eines typischen Leistungs-MOSFET

Vertikale Struktur

Im Gegensatz zu herkömmlichen MOSFETs verwenden Leistungs-MOSFETs eine vertikale Struktur, bei der der Strom von oben (Source) nach unten (Drain) fließt, wodurch die Stromverarbeitungskapazität maximiert wird.