Erkennung isolierter Layer-Gate-MOSFETs

MOSFET-Alias ​​vom Isolationsschicht-Gate-TypMOSFET (im Folgenden MOSFET genannt), der in der Mitte von Gate-Spannung und Source-Drain einen Kabelmantel aus Siliziumdioxid aufweist.

MOSFET ist auchN-Kanal und P-Kanal zwei Kategorien, aber jede Kategorie ist in Verstärkungs- und Lichtverarmungstyp zwei unterteilt, sodass es insgesamt vier Typen gibt:N-Kanal-Verstärkung, P-Kanal-Verstärkung, N-Kanal-Lichtverarmung, P-Kanal-Lichtverarmung. Aber wenn die Gate-Source-Spannung Null ist, ist der Drain-Strom der Röhre ebenfalls Null. Wenn jedoch die Gate-Source-Spannung Null ist und der Drain-Strom nicht Null ist, werden Röhren als lichtverbrauchende Röhren kategorisiert.
Erweitertes MOSFET-Prinzip:

Wenn in der Mitte der Gate-Source keine Spannung verwendet wird, befindet sich der PN-Übergang in der Mitte der Drain-Source in der entgegengesetzten Richtung, sodass kein leitender Kanal vorhanden ist, selbst wenn in der Mitte der Drain-Source eine Spannung anliegt Der leitende Grabenstrom ist geschlossen, es ist also nicht möglich, einen Arbeitsstrom zu haben. Wenn die Gate-Source-Spannung in der Mitte einen bestimmten Wert in positiver Richtung erreicht, entsteht in der Mitte der Drain-Source ein leitender Sicherheitskanal, so dass die gerade durch diese Gate-Source-Spannung erzeugte leitende Rinne als offene Spannung VGS bezeichnet wird Je größer die mittlere Gate-Source-Spannung, desto breiter ist der leitende Graben, was wiederum den Stromfluss erhöht.

Prinzip des lichtableitenden MOSFET:

Im Betrieb wird im Gegensatz zum Anreicherungs-MOSFET in der Mitte der Gate-Source keine Spannung verwendet, und in der Mitte der Drain-Source ist ein leitender Kanal vorhanden, sodass in der Mitte der Drain-Source nur eine positive Spannung hinzugefügt wird führt zu einem Drainstromfluss. Darüber hinaus ist die Gate-Quelle in der Mitte der positiven Richtung der Spannung, der leitende Kanal dehnt sich aus, fügt die entgegengesetzte Richtung der Spannung hinzu, der leitende Kanal schrumpft, wodurch der Stromfluss kleiner wird, mit der Verbesserung des MOSFET-Vergleichs, sie kann auch in der positiven und negativen Anzahl einer bestimmten Anzahl von Bereichen innerhalb des leitenden Kanals vorliegen.

MOSFET-Wirksamkeit:

Zunächst werden MOSFETs zur Vergrößerung eingesetzt. Da der Eingangswiderstand des MOSFET-Verstärkers sehr hoch ist, kann der Filterkondensator kleiner sein, ohne dass Elektrolytkondensatoren eingesetzt werden müssen.

Zweitens eignet sich der MOSFET mit sehr hohem Eingangswiderstand besonders für die charakteristische Impedanzumwandlung. Wird häufig in der Eingangsstufe von Mehrstufenverstärkern zur Umwandlung der charakteristischen Impedanz verwendet.

MOSFET kann als einstellbarer Widerstand verwendet werden.

Viertens kann ein MOSFET als Gleichstromversorgung praktisch sein.

V. MOSFET kann als Schaltelement verwendet werden.