Parameteranalyse und Messung von MOSFETs

Es gibt viele Arten von HauptparameternMOSFET, die Gleichstrom-, Wechselstrom- und Grenzparameter enthalten, aber die allgemeine Anwendung muss sich nur um die folgenden Grundparameter kümmern: Sättigungszustand des Leckquellenstroms IDSS Abschnürspannung Up, Transkonduktanz gm, Durchbruchspannung der Leckquelle BUDS, die größere Verlustausgangsleistung PDSM und der größere Leckquellenstrom IDSM.

1. Gesättigter Leckquellenstrom

Der gesättigte Drain-Source-Strom IDSS bezeichnet den Drain-Source-Strom bei Gate-Spannung UGS = 0 in MOSFETs mit isoliertem Gate vom Sperrschicht- oder Verarmungstyp.

2. Abschaltspannung

Die Abschnürspannung UP bezeichnet die Gate-Betriebsspannung in einem isolierten Schicht-Gate vom Sperrschicht- oder VerarmungstypMOSFETDadurch wird die Abflussquelle einfach abgeschaltet. Finden Sie heraus, was IDSS und UP eigentlich bedeuten.

3、Spannung einschalten

Die Einschaltspannung UT bezeichnet die Gate-Betriebsspannung in einem verstärkten MOSFET mit isoliertem Gate, sodass die Drain-Source-Verbindung gerade eingeschaltet ist. Finden Sie heraus, was UT eigentlich bedeutet.

4. Cross-Anleitung

Der Transguide-gm wird verwendet, um die Fähigkeit der Gate-Source-Spannung zur Steuerung des Drain-Stroms anzugeben, d. h. das Verhältnis zwischen der Änderung des Drain-Stroms und der Änderung der Gate-Source-Spannung.

5、Maximaler Verlust der Ausgangsleistungr

Zum Grenzparameter gehört auch die maximale Verlustausgangsleistung, d. h. die maximale Drain-Source-Verlustleistung, die bei Leistungseinbußen zulässig istMOSFETist normal und unbeeinträchtigt. Wenn wir den MOSFET verwenden, sollte sein Funktionsverlust niedriger als der PDSM und ein bestimmter Wert sein.

6、Maximaler Leckquellenstrom

Der maximale Drain-Source-Strom, IDSM, ist ebenfalls ein begrenzender Parameter, d. h. der maximale Strom, der im Normalbetrieb zwischen Drain und Source eines MOSFET fließen darf, und darf im Betrieb des MOSFET nicht überschritten werden.

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