Elektronische Komponenten haben elektrische Parameter, und es ist wichtig, bei der Auswahl des Typs genügend Spielraum für die elektronischen Komponenten zu lassen, um die Stabilität und den langfristigen Betrieb der elektronischen Komponenten sicherzustellen. Als nächstes stellen wir kurz die Trioden- und MOSFET-Auswahlmethode vor.
Triode ist ein durchflussgesteuertes Gerät, MOSFET ist ein spannungsgesteuertes Gerät, es gibt Ähnlichkeiten zwischen den beiden, bei der Auswahl müssen die Spannungsfestigkeit, der Strom und andere Parameter berücksichtigt werden.
1, entsprechend der Auswahl der maximalen Spannungsfestigkeit
Der Triode-Kollektor C und der Emitter E können der maximalen Spannung zwischen dem Parameter V (BR) CEO standhalten. Die Spannung zwischen CE darf während des Betriebs den angegebenen Wert nicht überschreiten, da sonst die Triode dauerhaft beschädigt wird.
Die maximale Spannung liegt während des Betriebs auch zwischen Drain D und Source S des MOSFET an, und die Spannung an DS während des Betriebs darf den angegebenen Wert nicht überschreiten. Im Allgemeinen beträgt der SpannungsfestigkeitswertMOSFETist viel höher als Triode.
2, die maximale Überstromfähigkeit
Die Triode verfügt über einen ICM-Parameter, d. h. die Überstromfähigkeit des Kollektors, und die Überstromfähigkeit des MOSFET wird als ID ausgedrückt. Bei laufendem Betrieb darf der durch die Triode/MOSFET fließende Strom den angegebenen Wert nicht überschreiten, da sonst das Gerät durchbrennt.
Unter Berücksichtigung der Betriebsstabilität ist im Allgemeinen eine Marge von 30–50 % oder sogar mehr zulässig.
3、Betriebstemperatur
Handelsübliche Chips: allgemeiner Bereich von 0 bis +70 ℃;
Chips in Industriequalität: allgemeiner Bereich von -40 bis +85 ℃;
Chips in Militärqualität: allgemeiner Bereich von -55 ℃ bis +150 ℃;
Wählen Sie bei der MOSFET-Auswahl den geeigneten Chip entsprechend dem Verwendungszweck des Produkts aus.
4, entsprechend der Auswahl der Schaltfrequenz
Sowohl Triode als auchMOSFEThaben Parameter der Schaltfrequenz/Reaktionszeit. Beim Einsatz in Hochfrequenzschaltungen muss die Ansprechzeit der Schaltröhre berücksichtigt werden, um den Einsatzbedingungen gerecht zu werden.
5、Weitere Auswahlbedingungen
Zum Beispiel der On-Widerstands-Ron-Parameter des MOSFET, die VTH-Einschaltspannung desMOSFET, und so weiter.
Jeder in der MOSFET-Auswahl kann die oben genannten Punkte zur Auswahl kombinieren.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 27. April 2024
