MOSFETssind weit verbreitet. Heutzutage werden in einigen großen integrierten Schaltkreisen MOSFETs und BJT-Transistoren verwendet, die in ihrer Grundfunktion schalten und verstärken. Grundsätzlich kann eine BJT-Triode dort eingesetzt werden, wo sie eingesetzt werden kann, und an manchen Stellen ist die Leistung besser als die der Triode.
Verstärkung von MOSFET
MOSFET und BJT-Triode sind zwar beide Halbleiterverstärker, haben aber gegenüber Trioden weitere Vorteile, wie z. B. einen hohen Eingangswiderstand und nahezu keinen Strom aus der Signalquelle, was der Stabilität des Eingangssignals zuträglich ist. Es ist ein ideales Gerät als Eingangsstufenverstärker und bietet außerdem die Vorteile eines geringen Rauschens und einer guten Temperaturstabilität. Er wird häufig als Vorverstärker für Audio-Verstärkerschaltungen verwendet. Da es sich jedoch um ein spannungsgesteuertes Stromgerät handelt, wird der Drain-Strom durch die Spannung zwischen Gate und Source gesteuert. Der Verstärkungskoeffizient der Niederfrequenz-Transkonduktanz ist im Allgemeinen nicht groß, sodass die Verstärkungsfähigkeit schlecht ist.
Schaltwirkung des MOSFET
Der MOSFET wird als elektronischer Schalter verwendet und basiert nur auf der Polyonenleitfähigkeit. Aufgrund des Basisstroms und des Ladungsspeichereffekts gibt es keine BJT-Triode, sodass die Schaltgeschwindigkeit des MOSFET schneller ist als die der Triode als Schaltröhre Wird häufig für hochfrequente Hochstromanlässe verwendet, z. B. für Schaltnetzteile, die im MOSFET im hochfrequenten Hochstromzustand der Arbeit verwendet werden. Im Vergleich zu BJT-Triodenschaltern können MOSFET-Schalter bei kleineren Spannungen und Strömen betrieben werden und lassen sich leichter auf Siliziumwafern integrieren, sodass sie häufig in hochintegrierten Schaltkreisen eingesetzt werden.
Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Verwendung zu beachten?MOSFETs?
MOSFETs sind empfindlicher als Trioden und können bei unsachgemäßer Verwendung leicht beschädigt werden, daher ist bei ihrer Verwendung besondere Vorsicht geboten.
(1) Es ist notwendig, den geeigneten MOSFET-Typ für verschiedene Verwendungszwecke auszuwählen.
(2) MOSFETs, insbesondere MOSFETs mit isoliertem Gate, haben eine hohe Eingangsimpedanz und sollten bei Nichtgebrauch mit jeder Elektrode kurzgeschlossen werden, um Schäden an der Röhre aufgrund der Ladung der Gate-Induktivität zu vermeiden.
(3) Die Gate-Source-Spannung von Sperrschicht-MOSFETs kann nicht umgekehrt werden, kann aber im Leerlaufzustand gespeichert werden.
(4) Um die hohe Eingangsimpedanz des MOSFET aufrechtzuerhalten, sollte die Röhre vor Feuchtigkeit geschützt und in der Einsatzumgebung trocken gehalten werden.
(5) Geladene Gegenstände (z. B. Lötkolben, Testinstrumente usw.), die mit dem MOSFET in Kontakt kommen, müssen geerdet werden, um eine Beschädigung der Röhre zu vermeiden. Insbesondere beim Schweißen von MOSFETs mit isoliertem Gate ist es am besten, nach dem Ausschalten der Stromversorgung zu schweißen, wobei die Schweißreihenfolge Source-Gate einzuhalten ist. Die Leistung des Lötkolbens beträgt 15 ~ 30 W. Eine Schweißzeit sollte 10 Sekunden nicht überschreiten.
(6) MOSFETs mit isoliertem Gate können nicht mit einem Multimeter getestet werden, sondern nur mit einem Tester und erst nach Zugriff auf den Tester, um die Kurzschlussverdrahtung der Elektroden zu entfernen. Beim Entfernen müssen die Elektroden vor dem Entfernen kurzgeschlossen werden, um ein Überstehen des Gates zu vermeiden.
(7) Bei der VerwendungMOSFETsBei Substratleitungen müssen die Substratleitungen ordnungsgemäß angeschlossen sein.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 23. April 2024
