MOSFETseine Rolle spielenin Schaltkreisendient der Steuerung des Ein- und Ausschaltens der Schaltung sowie der Signalumwandlung.MOSFETs lassen sich grob in zwei Kategorien einteilen: N-Kanal und P-Kanal.
Im N-KanalMOSFETSchaltung, ist der BEEP-Pin hoch, um die Summerreaktion zu aktivieren, und niedrig, um den Summer auszuschalten. P-KanalMOSFETUm die Stromversorgung des GPS-Moduls ein- und auszuschalten, ist der GPS_PWR-Pin niedrig, wenn das GPS-Modul eingeschaltet ist normale Stromversorgungund hoch, um das GPS-Modul auszuschalten.
P-KanalMOSFETIm N-Typ-Siliziumsubstrat gibt es im P + -Bereich zwei: Drain und Source. Diese beiden Pole sind zueinander nicht leitend. Wenn der Source bei Erdung ausreichend positive Spannung zugeführt wird, entsteht die Siliziumoberfläche vom N-Typ unter dem Gate als inverse Schicht vom P-Typ in einem Kanal, der Drain und Source verbindet . Eine Änderung der Spannung am Gate verändert die Dichte der Löcher im Kanal und damit den Kanalwiderstand. Dies wird als P-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistor bezeichnet.
NMOS-Eigenschaften, Vgs, solange größer als ein bestimmter Wert ist, gelten für den Source-geerdeten Low-End-Antriebsfall, vorausgesetzt, dass die Gate-Spannung auf der Leitung 4 V oder 10 V beträgt.
Die Eigenschaften von PMOS bleiben im Gegensatz zu NMOS eingeschaltet, solange Vgs unter einem bestimmten Wert liegt, und es eignet sich für den Einsatz bei High-End-Antrieben, wenn die Quelle an VCC angeschlossen ist. Aufgrund der geringen Anzahl von Ersatztypen, des hohen Einschaltwiderstands und des hohen Preises kann PMOS jedoch bei High-End-Laufwerken sehr praktisch verwendet werden, sodass bei High-End-Laufwerken im Allgemeinen immer noch NMOS verwendet wird.
Gesamt,MOSFETshaben eine hohe Eingangsimpedanz, erleichtern die direkte Kopplung in Schaltkreisen und lassen sich relativ einfach zu hochintegrierten Schaltkreisen verarbeiten.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 20. Juli 2024
