Der richtige Weg zur Auswahl von MOSFETs

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Der richtige Weg zur Auswahl von MOSFETs

Die Auswahl des richtigen MOSFET für den Schaltungstreiber ist ein sehr wichtiger Teil davonMOSFET Wenn die Auswahl nicht gut ist, wirkt sich dies direkt auf die Effizienz der gesamten Schaltung und die Kosten des Problems aus. Im Folgenden sagen wir einen angemessenen Winkel für die MOSFET-Auswahl.

1, N-Kanal- und P-Kanal-Auswahl
(1) Wenn in herkömmlichen Schaltkreisen ein MOSFET geerdet ist und die Last an die Stammspannung angeschlossen ist, stellt der MOSFET einen Schalter auf der Niederspannungsseite dar. In einem Schalter auf der Niederspannungsseite sollte aufgrund der zum Aus- und Einschalten des Geräts erforderlichen Spannung ein N-Kanal-MOSFET verwendet werden.

(2): Wenn der MOSFET an den Bus angeschlossen und die Last geerdet ist, muss ein Schalter auf der Hochspannungsseite verwendet werden. P-KanalMOSFETs werden in dieser Topologie normalerweise ebenfalls aus Gründen der Spannungssteuerung verwendet.

Chip WINSOK MOSFET

2. Ich möchte das Richtige auswählenMOSFET, ist es notwendig, die Spannung zu bestimmen, die zum Antreiben der Nennspannung erforderlich ist, sowie bei der Konstruktion die einfachste Möglichkeit zur Implementierung zu finden. Wenn die Nennspannung höher ist, sind für das Gerät natürlich höhere Kosten erforderlich. Bei tragbaren Designs sind niedrigere Spannungen üblicher, während bei industriellen Designs höhere Spannungen erforderlich sind. Aufgrund praktischer Erfahrungen muss die Nennspannung größer sein als die Stamm- oder Busspannung. Dadurch wird ein ausreichender Sicherheitsschutz gewährleistet, sodass der MOSFET nicht ausfällt.

3, gefolgt von der Struktur des Stromkreises, sollte der Nennstrom der maximale Strom sein, dem die Last unter allen Umständen standhalten kann, was auch auf den zu berücksichtigenden Sicherheitsaspekten basiert.

4. Abschließend wird das Schaltverhalten des MOSFET ermittelt. Es gibt viele Parameter, die die Schaltleistung beeinflussen, aber die wichtigsten sind Gate/Drain-, Gate/Source- und Drain/Source-Kapazität. Diese Kapazitäten verursachen Schaltverluste im Gerät, da sie bei jedem Schaltvorgang aufgeladen werden müssen.


Zeitpunkt der Veröffentlichung: 20. Mai 2024