Die Elektronikkomponentenindustrie ist ohne die Hilfe von so weit gekommen, wo sie jetzt istMOSFETsund Feldeffekttransistoren. Für manche Neulinge in der Elektronikbranche ist es jedoch oft leicht, MOSFETs und Feldeffekttransistoren zu verwechseln. Welcher Zusammenhang besteht zwischen MOSFETs und Feldeffekttransistoren? Ist ein MOSFET ein Feldeffekttransistor oder nicht?
Tatsächlich stellt die Einbeziehung dieser elektronischen Komponenten in den genannten MOSFET als Feldeffekttransistor kein Problem dar, aber umgekehrt ist es nicht richtig, das heißt, der Feldeffekttransistor enthält nicht nur den MOSFET, sondern auch den MOSFET andere elektronische Komponenten.
Feldeffekttransistoren können in Verbindungsröhren und MOSFETs unterteilt werden. Im Vergleich zu MOSFETs werden Verbindungsröhren seltener verwendet, daher ist die Häufigkeit der Erwähnung von Verbindungsröhren ebenfalls sehr gering, und MOSFETs und Feldeffekttransistoren werden häufig erwähnt, sodass leicht ein Missverständnis entsteht, dass es sich um dieselbe Art von Komponenten handelt.
MOSFETKann in Anreicherungstyp und Verarmungstyp unterteilt werden. Das Funktionsprinzip dieser beiden elektronischen Komponenten unterscheidet sich geringfügig. Das Gate (G) des Anreicherungstyps plus die positive Spannung, der Drain (D) und die Source (S) dienen dazu Beim Verarmungstyp sind Drain (D) und Source (S) ebenfalls leitend, selbst wenn das Gate (G) nicht an die positive Spannung angelegt wird.
Hier ist die Klassifizierung des Feldeffekttransistors noch nicht abgeschlossen, jeder Röhrentyp kann in N-Typ-Röhren und P-Typ-Röhren unterteilt werden, sodass der Feldeffekttransistor in sechs Röhrentypen unten bzw. N-Kanal unterteilt werden kann Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, P-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, N-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistoren, P-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistoren, N-Kanal-Verarmungsfeldeffekttransistoren und P-Kanal-Verarmungsfeldeffekttransistoren.
Für jede Komponente im Schaltplan sind die Schaltsymbole unterschiedlich. Das folgende Bild listet beispielsweise die Schaltsymbole der beiden Arten von Verbindungsröhren auf, wobei der Pfeil Nr. 2 auf die Röhre für den N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor zeigt Nach außen zeigt der P-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor.
MOSFETDer Unterschied zwischen den Schaltungssymbolen der Verbindungsröhre und der Verbindungsröhre ist immer noch relativ groß: N-Kanal-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp und P-Kanal-Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp. Der gleiche Pfeil zeigt auf das Rohr für den N-Typ, der nach außen zeigt, ist die P-Typ-Röhre . In ähnlicher Weise basiert die Unterscheidung zwischen N-Kanal-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp und P-Kanal-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp auch auf der Ausrichtung des Pfeils, wobei die zum Rohr zeigende Pfeilrichtung der N-Typ und die nach außen zeigende Pfeilrichtung der P-Typ ist.
Die Schaltkreissymbole von Anreicherungs-Feldeffekttransistoren (einschließlich N-Typ-Röhre und P-Typ-Röhre) und Verarmungsfeldeffekttransistoren (einschließlich N-Typ-Röhre und P-Typ-Röhre) sind sehr ähnlich. Der Unterschied zwischen den beiden besteht darin, dass eines der Symbole durch eine gestrichelte Linie und das andere durch eine durchgezogene Linie dargestellt wird. Die gestrichelte Linie zeigt einen Anreicherungs-Feldeffekttransistor und die durchgezogene Linie zeigt einen Verarmungs-Feldeffekttransistor.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 25. April 2024
