Es gibt viele Arten von HauptparameternMOSFET, die Gleichstrom-, Wechselstrom- und Grenzparameter enthalten, aber die allgemeine Anwendung muss sich nur um die folgenden Grundparameter kümmern: Sättigungszustand des Leckquellenstroms IDSS Abschnürspannung Up, Transkonduktanz gm, Durchbruchspannung der Leckquelle BUDS, die größere Verlustausgangsleistung PDSM und der größere Leckquellenstrom IDSM.
1.Gesättigter Leckquellenstrom
Der gesättigte Drain-Source-Strom IDSS bezeichnet den Drain-Source-Strom bei Gate-Spannung UGS = 0 in MOSFETs mit isoliertem Gate vom Sperrschicht- oder Verarmungstyp.
2. Abschaltspannung
Die Abschnürspannung UP bedeutet die Gate-Spannungs-Betriebsspannung in einem isolierten Schicht-Gate vom Sperrschicht- oder VerarmungstypMOSFETDadurch wird die Abflussquelle einfach abgeschaltet. Finden Sie heraus, was IDSS und UP eigentlich bedeuten.
3、Spannung einschalten
Die Einschaltspannung UT bezeichnet die Gate-Betriebsspannung in einem verstärkten MOSFET mit isoliertem Gate, sodass die Drain-Source-Verbindung gerade eingeschaltet ist. Finden Sie heraus, was UT eigentlich bedeutet.
4. Cross-Anleitung
Der Transguide-gm wird verwendet, um die Fähigkeit der Gate-Source-Spannung zur Steuerung des Drain-Stroms anzugeben, d. h. das Verhältnis zwischen der Änderung des Drain-Stroms und der Änderung der Gate-Source-Spannung.
5、Maximaler Verlust der Ausgangsleistungr
Zum Grenzparameter gehört auch die maximale Verlustausgangsleistung, d. h. die maximale Drain-Source-Verlustleistung, die bei Leistungseinbußen zulässig istMOSFETist normal und unbeeinträchtigt. Wenn wir den MOSFET verwenden, sollte sein Funktionsverlust niedriger als der PDSM und ein bestimmter Wert sein.
6、Maximaler Leckstrom der Quelle
Der maximale Drain-Source-Strom, IDSM, ist ebenfalls ein begrenzender Parameter, d. h. der maximale Strom, der im Normalbetrieb zwischen Drain und Source eines MOSFET fließen darf, und darf im Betrieb des MOSFET nicht überschritten werden.
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Zeitpunkt der Veröffentlichung: 07.07.2024
