1, die Rolle des MOSFET in der Steuerung von Elektrofahrzeugen
Vereinfacht ausgedrückt wird der Motor durch den Ausgangsstrom des angetriebenMOSFETJe höher der Ausgangsstrom (um ein Durchbrennen des MOSFET zu verhindern, verfügt der Controller über einen Strombegrenzungsschutz), desto stärker ist das Motordrehmoment und desto stärker ist die Beschleunigung.
2, die Steuerschaltung des MOSFET-Betriebszustands
Offener Prozess, Ein-Zustand, Aus-Prozess, Abschaltzustand, Ausfallzustand.
Zu den Hauptverlusten des MOSFET gehören Schaltverluste (Ein- und Ausschaltvorgang), Leitungsverluste, Abschaltverluste (verursacht durch vernachlässigbaren Leckstrom) und Lawinenenergieverluste. Wenn diese Verluste innerhalb des tolerierbaren Bereichs des MOSFET kontrolliert werden, funktioniert der MOSFET ordnungsgemäß. Wenn sie den tolerierbaren Bereich überschreiten, kommt es zu Schäden.
Der Schaltverlust ist oft größer als der Leitungszustandsverlust, insbesondere ist die PWM im Pulsweitenmodulationszustand (entsprechend dem Startbeschleunigungszustand des Elektroautos) nicht vollständig geöffnet, und der höchste schnelle Zustand ist oft der Leitungsverlust dominiert.
3, die Hauptursachen fürMOSSchaden
Überstrom, hoher Strom durch Hochtemperaturschäden (anhaltend hoher Strom und plötzliche hohe Stromimpulse, die durch die Sperrschichttemperatur verursacht werden, überschreiten den Toleranzwert); Überspannung, Source-Drain-Pegel ist größer als die Durchbruchspannung und der Durchbruch; Gate-Ausfall, normalerweise weil die Gate-Spannung durch die externe oder Treiberschaltung mehr als die maximal zulässige Spannung beschädigt wird (im Allgemeinen muss die Gate-Spannung weniger als 20 V betragen), sowie Schäden durch statische Elektrizität.
4, MOSFET-Schaltprinzip
Der MOSFET ist ein spannungsgesteuertes Gerät. Solange das Gate G und die Source-Stufe S eine geeignete Spannung zwischen der Source-Stufe S und D liefern, wird ein Leitungskreis zwischen der Source-Stufe gebildet. Der Widerstand dieses Strompfads wird zum MOSFET-Innenwiderstand, also zum Einschaltwiderstand. Die Größe dieses Innenwiderstands bestimmt im Wesentlichen den maximalen Durchlassstrom, den derMOSFETChip aushalten kann (natürlich auch im Zusammenhang mit anderen Faktoren, der relevanteste ist der thermische Widerstand). Je kleiner der Innenwiderstand ist, desto größer ist der Strom.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 24. April 2024
