Bei den heutigen MOS-Treibern gibt es mehrere außergewöhnliche Anforderungen:
1. Niederspannungsanwendung
Bei der Anwendung von 5V-SchaltungStromversorgungWenn zu diesem Zeitpunkt die traditionelle Totem-Pole-Struktur verwendet wird, beträgt der Auf- und Ab-Verlust der Triode nur 0,7 V, was zu einer bestimmten endgültigen Gate-Lastspannung von nur 4,3 V führt. Zu diesem Zeitpunkt ist die zulässige Gate-Spannung zulässig von 4,5VMOSFETs Es besteht ein gewisses Risiko.Die gleiche Situation Tritt auch bei der Anwendung von 3V- oder anderen Niederspannungs-Schaltnetzteilen auf.
2. Breite Spannungsanwendung
Die Tastspannung hat keinen numerischen Wert, sie variiert von Zeit zu Zeit oder aufgrund anderer Faktoren. Diese Variation führt dazu, dass die von der PWM-Schaltung an den MOSFET angelegte Ansteuerspannung instabil ist.
Um den MOSFET bei hohen Gate-Spannungen besser abzusichern, verfügen viele MOSFETs über integrierte Spannungsregler, die eine Begrenzung der Größe der Gate-Spannung erzwingen. Wenn in diesem Fall die Antriebsspannung die Spannung des Reglers überschreitet, kommt es zu einem großen statischen Funktionsverlust.
Wenn gleichzeitig das Grundprinzip des Widerstandsspannungsteilers verwendet wird, um die Gate-Spannung zu reduzieren, kann es vorkommen, dass der MOSFET gut funktioniert, wenn die Tastenspannung höher ist, und wenn die Tastenspannung verringert wird, funktioniert die Gate-Spannung nicht genug, was zu unzureichendem Ein- und Ausschalten führt, was den Funktionsverlust verstärkt.
3. Doppelspannungsanwendungen
In einigen Steuerschaltungen legt der Logikteil der Schaltung die typische Datenspannung von 5 V oder 3,3 V an, während der Ausgangsleistungsteil 12 V oder mehr anlegt und die beiden Spannungen mit der gemeinsamen Masse verbunden sind.
Dies macht deutlich, dass eine Stromversorgungsschaltung verwendet werden muss, damit die Niederspannungsseite den Hochspannungs-MOSFET sinnvoll manipulieren kann, während der Hochspannungs-MOSFET in der Lage ist, die gleichen in 1 und 2 genannten Schwierigkeiten zu bewältigen.
In diesen drei Fällen kann die Totem-Pole-Konstruktion die Ausgangsanforderungen nicht erfüllen, und viele bestehende MOS-Treiber-ICs verfügen offenbar nicht über eine Gate-Spannungsbegrenzungskonstruktion.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 24. Juli 2024
