MOSFET-Klassifizierungsmerkmale

Aufgrund seines hohen Eingangswiderstands, seines geringen Rauschens, seiner thermischen Stabilität, seiner integrierten Vorteile in elektronischen Schaltkreisen und seines großen Leistungsflusses werden Stromversorgungsschaltungen mit großer Betriebsspannung häufig verwendet. Bei richtiger Anwendung muss der MOSFET-Pin identifiziert werden. Die Polarität ist sehr wichtig. Bei demselben Transistor muss der MOSFET-Pin gekonnt identifiziert werden. Die Polarität muss zunächst seine Struktur und seine Grundprinzipien verstehen.MOSFETPin hat ein Gate G, Drain D und Source S mit drei elektrischen Ebenen, wenn die Dual-Gate-Röhre vier elektrische Ebenen hat.

MOSFETs können in Sperrschicht unterteilt werdenMOSFETsund MOSFETs mit isoliertem Gate entsprechend der Konstruktion, wobei die MOSFETs mit isoliertem Gate in Anreicherung und Verarmung unterteilt sind; Übergangs-MOSFETs „Übergang“ bezieht sich auf den pn-Übergang, isolierte Schicht-Gate-MOSFETs isolierte Schicht-Gate bezieht sich auf eine Schicht aus Gate und Source, Drain in der Mitte. Siliziumdioxid-Kabelmantel, es besteht keine leitende Verbindung zwischen ihnen. Entsprechend den Eigenschaften des leitenden Kanals können Übergangs-MOSFET und isolierte Schichtgitter-MOSFET in elektronische und unterteilt werdenLochkanal,Dabei handelt es sich um einen leitenden sicheren MOSFET-Kanal. Der MOSFET wird als unipolarer Kristalltransistor bezeichnet, der Transistor als bipolarer Kristalltransistor, d zwei Arten freier Elektronen. Der MOSFET gehört zu den spannungsgesteuerten Kristalltransistoren, bei denen das Gate und die Source in der Mitte der Arbeitsspannung verschoben werden, um den Kanal der leitenden Arbeitskapazität zu ändern. Die Triode wird als flussmanipulierte Kristalltriode klassifiziert und die Größe des Kollektorübergangsstroms ändert sich entsprechend der Flussverschiebung.

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