MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) werden oft als vollständig gesteuerte Geräte angesehen. Dies liegt daran, dass der Betriebszustand (ein oder aus) des MOSFET vollständig von der Gate-Spannung (Vgs) gesteuert wird und nicht wie im Fall eines Bipolartransistors (BJT) vom Basisstrom abhängt.
In einem MOSFET bestimmt die Gate-Spannung Vgs, ob zwischen Source und Drain ein leitender Kanal gebildet wird, sowie die Breite und Leitfähigkeit des leitenden Kanals. Wenn Vgs die Schwellenspannung Vt überschreitet, wird der leitende Kanal gebildet und der MOSFET geht in den Ein-Zustand über; Wenn Vgs unter Vt fällt, verschwindet der leitende Kanal und der MOSFET befindet sich im abgeschalteten Zustand. Diese Steuerung ist vollständig kontrolliert, da die Gate-Spannung den Betriebszustand des MOSFET unabhängig und präzise steuern kann, ohne auf andere Strom- oder Spannungsparameter angewiesen zu sein.
Im Gegensatz dazu wird der Betriebszustand halbgesteuerter Geräte (z. B. Thyristoren) nicht nur durch die Steuerspannung oder den Steuerstrom, sondern auch durch andere Faktoren (z. B. Anodenspannung, Strom usw.) beeinflusst. Daher bieten vollständig gesteuerte Geräte (z. B. MOSFETs) in der Regel eine bessere Leistung in Bezug auf Steuergenauigkeit und Flexibilität.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass MOSFETs vollständig gesteuerte Geräte sind, deren Betriebszustand vollständig durch die Gate-Spannung gesteuert wird und die Vorteile hoher Präzision, hoher Flexibilität und geringem Stromverbrauch bieten.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 20.09.2024
