Heutzutage, mit der rasanten Entwicklung von Wissenschaft und Technologie, werden Halbleiter in immer mehr Branchen eingesetzt, in denen dieMOSFET auch als sehr verbreitetes Halbleiterbauelement gilt, besteht der nächste Schritt darin, zu verstehen, was der Unterschied zwischen den Eigenschaften des bipolaren Leistungskristalltransistors und des Ausgangsleistungs-MOSFETs ist.
1, die Art und Weise der Arbeit
MOSFET ist die Arbeit, die erforderlich ist, um die Betriebsspannung zu fördern. Der Schaltplan ist relativ einfach zu erklären und die Leistung ist klein. Der Leistungskristalltransistor ist ein Stromfluss, der das Programmdesign komplexer macht, und die Wahl der Spezifikation ist schwierig zu fördern, wodurch die gesamte Schaltgeschwindigkeit der Stromversorgung gefährdet wird.
2, die Gesamtschaltgeschwindigkeit des Netzteils
Der Einfluss der Temperatur auf den MOSFET ist gering, die Schaltausgangsleistung des Netzteils kann mehr als 150 kHz gewährleisten. Der Leistungskristalltransistor verfügt über eine sehr kurze freie Ladungsspeicherzeit, die die Schaltgeschwindigkeit der Stromversorgung begrenzt, aber seine Ausgangsleistung beträgt im Allgemeinen nicht mehr als 50 kHz.
3、Sicherer Arbeitsbereich
Leistungs-MOSFET hat keine sekundäre Basis und der sichere Arbeitsbereich ist groß; Der Leistungskristalltransistor verfügt über eine sekundäre Basissituation, die den sicheren Arbeitsbereich einschränkt.
4. Arbeitsspannung des elektrischen Leiters
LeistungMOSFET gehört zum Hochspannungstyp, die Arbeitsspannung der Leitungsarbeitsanforderungen ist höher, es gibt einen positiven Temperaturkoeffizienten; Unabhängig davon, wie hoch der Leistungskristalltransistor ist, ist er beständig gegenüber der Arbeitsspannung, die Arbeitsspannung des elektrischen Leiters ist niedriger und hat einen negativen Temperaturkoeffizienten.
5, der maximale Leistungsfluss
Leistungs-MOSFET im Schaltnetzteil, Stromversorgungsschaltung, Stromversorgungsschaltung als Stromversorgungsschalter, im Betrieb und bei stabiler Arbeit in der Mitte ist der maximale Leistungsfluss geringer; und Leistungskristalltransistor im Betrieb und stabile Arbeit in der Mitte, der maximale Leistungsfluss ist höher.
6、Produktkosten
Die Kosten für Leistungs-MOSFETs sind etwas höher; Die Kosten für die Leistungskristalltriode sind etwas niedriger.
7、Penetrationseffekt
Power-MOSFET hat keinen Penetrationseffekt; Der Leistungskristalltransistor hat eine Penetrationswirkung.
8、Schaltverlust
Der MOSFET-Schaltverlust ist nicht groß; Der Schaltverlust des Leistungskristalltransistors ist relativ groß.
Darüber hinaus verfügt die überwiegende Mehrheit der Leistungs-MOSFETs über eine integrierte stoßdämpfende Diode, während der bipolare Leistungskristalltransistor fast keine integrierte stoßdämpfende Diode aufweist. Die stoßdämpfende Diode des MOSFET kann auch ein universeller Magnet zum Schalten von Stromversorgungskreisen mit Magnetspulen sein, um den Leistungsfaktorwinkel zu bestimmen des Kraftfluss-Sicherheitskanals. Feldeffektröhre in der stoßdämpfenden Diode im gesamten Prozess des Ausschaltens mit der allgemeinen Diode als Existenz eines Reverse-Recovery-Stromflusses, zu diesem Zeitpunkt nimmt die Diode einerseits die positive Mitte des Drain-Source-Pols in erheblichem Maße auf Andererseits steigt der Arbeitsbedarf der Betriebsspannung und der Rückstrom fließt.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 24. Mai 2024
