FET DFN2X2-Gehäuse, einzelner P-Kanal, 20 V–40 V, Modellanordnung_WINSOK MOSFET

WINSOK MOSFETDie Modelle im DFN2X2-6L-Gehäuse, einzelner P-Kanal-FET und einer Spannung von 20 V bis 40 V sind wie folgt zusammengefasst:

1. Modell: WSD8823DN22 einzelner P-Kanal -20 V -3,4 A, Innenwiderstand 60 mΩ

Entsprechende Modelle:

AOS:AON2403

ON Semiconductor: FDMA908PZ

Nxperian: PMPB15XP

TOSHIBA: SSM6J512NU

2.Modell: WSD4018DN22 einzelner P-Kanal, -40V-18A, Innenwiderstand 26mΩ

3. Modell: WSD2065DN22 Doppel-P-Kanal, -20 V-3,5 A, Innenwiderstand 60 mΩ

Anwendungsszenarien: E-Zigarette MOSFET,Kabelloses LadenMOSFET,Aufladen des AutosMOSFET, Controller-MOSFET, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik