LeistungMOSFET „MOSFET“ ist eine relativ neue Klasse von Betriebsgeräten und wird im Englischen als „Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor“ bezeichnet. Das Gerät wurde für die Eindringvorrichtung verwendet und besteht aus metallischem Material, SiO2 oder SiN sowie aus drei Erdstoffen hergestellten Halbgeleidermaterialien. Um sicherzustellen, dass der MOSFET darauf hinweist, dass ein großer Arbeitsstrom ausgegeben werden kann, und diese Funktion in vollem Umfang genutzt werden kann, kann die Funktion des Verliesniveaus durch einen verbesserten Typ und einen Lichtverbrauchstyp ersetzt werden, und der Kanal kann ebenfalls aktiviert werden N-Kanal-Typ und P-Kanal-Typ.
Leistungs-MOSFETs werden häufig für Schaltkreise verwendet. Over the algemeen kiezenMOSFET-Fabrikanten Der Parameter RDS(ON) muss definiert werden, um eine impedante Eigenschaft der Charakteristika zu definieren. RDS(ON) ist auch eine kritische Gerätecharakteristik für die ORing-FET-Übertragung. Der Dateninformationsleitfaden definiert RDS(ON) in Bezug auf die Gate-Ansteuerung, VGS, und die Stromversorgung über die Stromversorgungstür, aber RDS(ON) ist ein relativer statischer Parameter für den gesamten Gate-Antrieb.
Wenn ein MOSFET-Hersteller ein Schaltnetzteil mit minimalen Leistungsspezifikationen und Kosten betreiben will, ist eine hohe Leistungsfähigkeit erforderlich. Wenn Sie ein anderes Gerät verwenden, müssen Sie ein anderes Gerät verwendenMOSFETs Parallel dazu werden mehrere Geräte verwendet, um den Strom zu belasten, damit Sie leiden können. In vielen Fällen können die in Reihe geschalteten MOSFET-Module aufgrund der RDS(ON)-Funktion reduziert werden.
Als Nächstes ist RDS(ON) im Prozess der MOSFET-Auswahl auch ein wichtiger MOSFET-Parameter, der für die Stromversorgung von Teilnehmern sehr wichtig ist. Nachdem die Entwickler die SOA-Grafik im Data Information Guide gelesen hatten, wurden die Korrelationsdaten und die Drain-Bronze-Beschreibung beschrieben. Für das größte definierte SOA-Netzwerk und den Stromverbrauch kann der MOSFET nicht funktionieren.
Für die oben genannten Arten von Lastbedingungen können Sie nach der Schätzung (oder Messung) der größeren Betriebsspannung und dem anschließenden Belassen eines Spielraums von 20 % bis 30 % den erforderlichen Nennstrom-VDS-Wert des MOSFET angeben. Hier muss gesagt werden, dass, um bessere, stärkere Kosten und glattere Eigenschaften zu erzielen, in der Zusammensetzung des Stromregelkreises in Reihe geschaltete Wechselstromdioden und Induktivitäten aufgenommen werden können, um die kinetische Energie aus dem induktiven Strom freizusetzen, um den Strom aufrechtzuerhalten MOSFET. Nennstrom ist klar, der Strom kann abgeleitet werden. Hier müssen jedoch zwei Parameter berücksichtigt werden: Der eine ist der Wert des Stroms im Dauerbetrieb und der höchste Wert der Einzelimpuls-Stromspitze (Spike und Surge). Diese beiden Parameter bestimmen, wie hoch der Nennwert des Stroms gewählt werden sollte aktueller Wert.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 28. Mai 2024
