Im Gegensatz zur Dual-Spinning-Crystal-Triode wird allgemein davon ausgegangen, dass die Herstellung derMOSFETDas Verhalten nutzt keinen elektrischen Fluss, sondern erfordert lediglich, dass die GS-Spannung höher als ein bestimmter Wert ist. Das geht relativ einfach, wir brauchen vor allem einen bestimmten Tarif.
Für die Struktur des MOSFET können wir in GS und GD feststellen, dass es eine gewisse parasitäre Kapazität gibt, und der MOSFET-Antrieb besteht tatsächlich darin, die Kapazität zu laden und zu entladen. Zum Laden von Kondensatoren benötigen wir nur einen Strom, der ausreicht, da der Kondensator im Lademoment dem Kondensator als Kurzschluss gleichkommt, diesmal ist der Momentanstrom höher als der allgemeine Situationswert. Daher wählen oder entwerfen wir dann ein MOSFET-Ansteuerschaltungsprogramm und achten zunächst auf die Größe des momentanen Kurzschlussstroms, der bereitgestellt werden kann.
Zweitens muss NMOS, das häufig für High-End-Antriebe verwendet wird, zulassen, dass die Gate-Spannung die Source-Spannung übersteigt, wenn es leitet. Im High-End-Antriebs-MOSFET ist die Größe der Source- und Drain-Spannung im Ein-Zeit-Modus gleich, daher sollte die Gate-Spannung dieses Mal 4 V oder 10 V größer als Vcc sein. Wenn Sie im selben System eine höhere Gate-Spannung als Vcc erreichen möchten, müssen Sie sich auf die Steuerung des Spannungskreises spezialisieren. Viele Motortreiber bestehen aus Ladungspumpen. Es ist zu beachten, dass wir den geeigneten externen Kondensator auswählen sollten, um ausreichend Kurzschlussstrom zum Antreiben des MOSFET zu erhalten.
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Zeitpunkt der Veröffentlichung: 06.07.2024
