Anforderungen an die MOSFET-Treiberschaltung

Bei den heutigen MOS-Treibern gibt es mehrere außergewöhnliche Anforderungen:

1. Niederspannungsanwendung

Bei der Anwendung von 5V-SchaltungStromversorgungWenn zu diesem Zeitpunkt die traditionelle Totem-Pole-Struktur verwendet wird, beträgt der Auf- und Ab-Verlust der Triode nur 0,7 V, was zu einer bestimmten endgültigen Gate-Lastspannung von nur 4,3 V führt. Zu diesem Zeitpunkt ist die zulässige Gate-Spannung zulässig von 4,5VMOSFETs Es besteht ein gewisses Risiko.Die gleiche Situation Tritt auch bei der Anwendung von 3V- oder anderen Niederspannungs-Schaltnetzteilen auf.

Anforderungen an die MOSFET-Treiberschaltung

2. Breite Spannungsanwendung

Die Tastspannung hat keinen numerischen Wert, sie variiert von Zeit zu Zeit oder aufgrund anderer Faktoren. Diese Variation führt dazu, dass die von der PWM-Schaltung an den MOSFET angelegte Ansteuerspannung instabil ist.

Um den MOSFET bei hohen Gate-Spannungen besser abzusichern, verfügen viele MOSFETs über integrierte Spannungsregler, die eine Begrenzung der Größe der Gate-Spannung erzwingen. Wenn in diesem Fall die Antriebsspannung die Spannung des Reglers überschreitet, kommt es zu einem großen statischen Funktionsverlust.

Wenn gleichzeitig das Grundprinzip des Widerstandsspannungsteilers zur Reduzierung der Gate-Spannung verwendet wird, kann es vorkommen, dass der MOSFET gut funktioniert, wenn die Tastenspannung höher ist, und wenn die Tastenspannung verringert wird, funktioniert die Gate-Spannung nicht genug, was zu unzureichendem Ein- und Ausschalten führt, was den Funktionsverlust verstärkt.

MOSFET-Überstromschutzschaltung zur Vermeidung von Unfällen durch Netzteilausfälle(1)

3. Doppelspannungsanwendungen

In einigen Steuerschaltungen legt der Logikteil der Schaltung die typische Datenspannung von 5 V oder 3,3 V an, während der Ausgangsleistungsteil 12 V oder mehr anlegt und die beiden Spannungen mit der gemeinsamen Masse verbunden sind.

Dies macht deutlich, dass eine Stromversorgungsschaltung verwendet werden muss, damit die Niederspannungsseite den Hochspannungs-MOSFET sinnvoll manipulieren kann, während der Hochspannungs-MOSFET in der Lage ist, die gleichen in 1 und 2 genannten Schwierigkeiten zu bewältigen.

In diesen drei Fällen kann die Totem-Pole-Konstruktion die Ausgangsanforderungen nicht erfüllen, und viele bestehende MOS-Treiber-ICs verfügen offenbar nicht über eine Gate-Spannungsbegrenzungskonstruktion.