MOSFET-Leitungseigenschaften

MOSFET-Leitfähigkeit bedeutet, dass er als Schalter verwendet wird, was dem Schließen eines Schalters entspricht. Ein NMOS gilt als leitend, wenn Vgs einen begrenzten Wert überschreitet. Dies gilt für den Zustand, in dem die Quelle an ein geerdetes Gerät angeschlossen ist und nur das Gate benötigt wird Die Spannung muss 4V oder 10V betragen.PMOShingegen leitet, wenn Vgs unter einen bestimmten Wert fällt, und eignet sich für Situationen, in denen die Quelle an Vcc angeschlossen ist. Obwohl PMOS als hochwertiger Treiber praktisch sein kann, wird NMOS aufgrund des großen Einschaltwiderstands, des hohen Preises und der hohen Kosten sowie der wenigen Ersatztypen im Allgemeinen in hochwertigen Treibern verwendet.

Ob es so istNMOSBei PMOS gibt es nach dem Einschaltwiderstand einen Einschaltwiderstand, sodass der Strom im Widerstand eine bestimmte Menge an Strom verbraucht. Dieser Verbrauch wird als Einschaltwiderstandsverlust bezeichnet. An diesem Punkt wählen wir einfach den Ein-Widerstand eines kleinen MOSFET aus, um den Ein-Widerstandsverlust zu reduzieren, was heute bei geringer Leistung der Fall istMOSFETDer Ein-Widerstand beträgt im Allgemeinen Dutzende von Milliohm, oder sogar ein paar Milliohm des MOS-Auftritts, wenn er eingeschaltet ist und die Situation nicht blitzschnell abgeschlossen ist.
Die Spannung auf beiden Seiten des MOS nimmt ab, während der Strom, der durch den Prozess fließt, zunimmt. In diesem Zeitraum multiplizieren sich Spannung und Strom mit der Größe des Verlusts des MOSFET. Der allgemeine Schaltverlust ist viel größer als der Leitungsverlust, und je höher die Schaltfrequenz, desto größer der Verlust. Je höher die Vervielfachung von Spannung und Strom im Moment der Leitung ist, desto höher ist der Verlust. Wenn wir die Schaltzeit verkürzen können, können wir den Verlust bei jeder Leitung verringern, die Schalthäufigkeit verringern und auch die Schalthäufigkeit innerhalb eines bestimmten Zeitraums verringern, um so den Schaltverlust zu verringern.

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