Das Laden von Lithiumbatterien kann leicht beschädigt werden, der WINSOK MOSFET hilft Ihnen!

Postzeitpunkt: 28. Juli 2024

Lithium als neuer umweltfreundlicher Batterietyp wird seit langem schrittweise in batteriebetriebenen Autos eingesetzt. Aufgrund der Eigenschaften von wiederaufladbaren Lithium-Eisenphosphat-Batterien ist nicht bekannt, dass bei der Verwendung der Batterie ein Ladevorgang durchgeführt werden muss, um eine Überladung, Stromverlust oder Übertemperatur zu verhindern und sicherzustellen, dass die wiederaufladbare Batterie sicher funktioniert. Der Überstromschutz stellt jedoch eine Polarisierung des gesamten Prozesses des Ladens und Entladens unter extremen Arbeitsnormen dar. Wie wählt man also die Leistungs-MOSFET-Modellspezifikationen und Entwurfsprogramme aus, die für die Antriebsschaltung geeignet sind?

Das Laden von Lithiumbatterien kann leicht beschädigt werden, der WINSOK MOSFET hilft Ihnen!

Spezifische Arbeiten, die auf verschiedenen Anwendungen basieren, werden mehrere parallel arbeitende Leistungs-MOSFETs einsetzen, um den Einschaltwiderstand zu reduzieren und die Wärmeleitfähigkeitseigenschaften zu verbessern. Bei normalem Betrieb manipulieren Sie das Datensignal, um den eingeschalteten MOSFET zu manipulieren, die Anschlüsse P und P des Lithium-Akkupacks – Ausgangsspannung für Betriebsanwendungen. Zu diesem Zeitpunkt befand sich der Leistungs-MOSFET in der Leitungssituation, der Leistungsverlust ist nur ein Leitungsverlust, kein Leistungsschaltverlust, der Gesamtleistungsverlust des Leistungs-MOSFET ist nicht hoch, der Temperaturanstieg ist gering, sodass der Leistungs-MOSFET dies kann sicher arbeiten.

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Wenn jedoch der Load einen Kurzschlussfehler erzeugt, steigt die Kurzschlusskapazität plötzlich von mehreren zehn Ampere im Normalbetrieb auf mehrere hundert Ampere an, da der Stromkreiswiderstand nicht groß ist und der Akku über eine starke Ladekapazität und Leistung verfügtMOSFETs können in einem solchen Fall sehr leicht zerstört werden. Wählen Sie daher nach Möglichkeit einen MOSFET mit kleinem RDS (ON), also wenigerMOSFETs parallel einsetzbar. Mehrere parallel geschaltete MOSFETs sind anfällig für Stromungleichgewichte. Für parallele MOSFETs sind separate und identische Push-Widerstände erforderlich, um Schwankungen zwischen MOSFETs zu vermeiden.