Einführung in das Funktionsprinzip häufig verwendeter Hochleistungs-MOSFETs

Heute auf der häufig verwendeten Hochleistungs-MOSFETum kurz das Funktionsprinzip vorzustellen. Sehen Sie, wie es seine eigene Arbeit verwirklicht.

Metall-Oxid-Halbleiter, also Metall-Oxid-Halbleiter, genau dieser Name beschreibt die Struktur des MOSFET im integrierten Schaltkreis, das heißt: in einer bestimmten Struktur des Halbleiterbauelements, gekoppelt mit Siliziumdioxid und Metall, die Entstehung des Tores.

Source und Drain eines MOSFET sind gegensätzlich, da es sich bei beiden um N-Typ-Zonen handelt, die in einem P-Typ-Backgate gebildet werden. In den meisten Fällen sind die beiden Bereiche gleich, auch wenn die beiden Enden der Anpassung keinen Einfluss auf die Leistung des Geräts haben, wird ein solches Gerät als symmetrisch betrachtet.

Klassifizierung: je nach Kanalmaterialtyp und isoliertem Gate-Typ von jedem N-Kanal und zwei P-Kanälen; entsprechend dem Leitfähigkeitsmodus: MOSFET ist in Verarmung und Anreicherung unterteilt, daher ist MOSFET in N-Kanal-Verarmung und -Anreicherung unterteilt; P-Kanal-Verarmung und -Verstärkung in vier Hauptkategorien.

MOSFET-Funktionsprinzip – die strukturellen Eigenschaften vonMOSFETEr leitet nur Ladungsträger einer Polarität (Polys), die an der Leitfähigkeit beteiligt sind, und ist ein unipolarer Transistor. Der Leitungsmechanismus ist der gleiche wie bei einem Low-Power-MOSFET, aber die Struktur weist einen großen Unterschied auf. Der Low-Power-MOSFET ist ein horizontal leitendes Gerät, während die meisten Leistungs-MOSFETs eine vertikal leitende Struktur haben, die auch als VMOSFET bezeichnet wird, was den MOSFET erheblich verbessert Spannungs- und Stromfestigkeit des Geräts. Das Hauptmerkmal besteht darin, dass sich zwischen dem Metall-Gate und dem Kanal eine Siliciumdioxid-Isolierungsschicht befindet und daher einen hohen Eingangswiderstand aufweist. Das Rohr leitet in zwei Diffusionszonen mit hoher Konzentration an n, um einen leitenden Kanal vom n-Typ zu bilden. n-Kanal-Anreicherungs-MOSFETs müssen mit einer Vorspannung in Vorwärtsrichtung an das Gate angelegt werden, und zwar nur dann, wenn die Gate-Source-Spannung größer ist als die Schwellenspannung des vom n-Kanal-MOSFET erzeugten leitenden Kanals. n-Kanal-MOSFETs vom Verarmungstyp sind n-Kanal-MOSFETs, in denen leitende Kanäle erzeugt werden, wenn keine Gate-Spannung angelegt wird (Gate-Source-Spannung ist Null).

Das Funktionsprinzip des MOSFET besteht darin, die Menge der „induzierten Ladung“ zu steuern, indem VGS verwendet wird, um den Zustand des durch die „induzierte Ladung“ gebildeten leitenden Kanals zu ändern und dann den Zweck der Steuerung des Drain-Stroms zu erreichen. Bei der Herstellung von Rohren entsteht durch den Prozess der Isolierschicht eine große Anzahl positiver Ionen, so dass auf der anderen Seite der Grenzfläche mehr negative Ladung induziert werden kann, was zu einer hohen Penetration von Verunreinigungen im N führt Bereich, der mit der Bildung eines leitenden Kanals verbunden ist, selbst bei VGS = 0 gibt es auch einen großen Leckstrom ID. Wenn sich die Gate-Spannung ändert, ändert sich auch die im Kanal induzierte Ladungsmenge, und die Breite und Enge des leitenden Kanals ändern sich und damit der Leckstrom ID mit der Gate-Spannung. Der Strom-ID variiert mit der Gate-Spannung.

Nun die Anwendung vonMOSFEThat das Lernen und die Arbeitseffizienz der Menschen erheblich verbessert und gleichzeitig unsere Lebensqualität verbessert. Durch ein einfaches Verständnis haben wir ein rationalisierteres Verständnis davon. Es wird nicht nur als Werkzeug verwendet, sondern auch zu einem besseren Verständnis seiner Eigenschaften und des Arbeitsprinzips, was uns auch viel Spaß bereiten wird.