So ermitteln Sie, dass der Hochleistungs-MOSFET durch den Burnout durchgebrannt ist

(1) MOSFET ist ein spannungsmanipulierendes Element, während Transistor ein strommanipulierendes Element ist. Wenn die Fahrfähigkeit nicht verfügbar ist, ist der Antriebsstrom sehr klein und sollte ausgewählt werdenMOSFET; und wenn die Signalspannung niedrig ist und versprochen wird, mehr Strom aus der Antriebsstufe der elektrischen Angelmaschine zu entnehmen, sollte ein Transistor ausgewählt werden.

(2) Bei einem MOSFET werden die meisten Träger leitend verwendet, ein sogenanntes unipolares Gerät, während bei einem Transistor die meisten Träger leitend sind, aber auch eine kleine Anzahl von Trägern leitend ist. Es wird als bipolares Gerät bezeichnet.

(3) EinigeMOSFET Source und Drain können ausgetauscht werden, die Gate-Spannung kann positiv oder negativ sein, die Flexibilität des Transistors ist gut.

(4) MOSFETs können bei sehr kleinen Strömen und sehr niedrigen Spannungen betrieben werden, und ihr Herstellungsprozess kann sehr praktisch sein, um viele MOSFETs in einen Siliziumchip zu integrieren, sodass MOSFETs in großen integrierten Schaltkreisen weit verbreitet sind.

(5) MOSFETs haben die Vorteile einer hohen Eingangsimpedanz und eines geringen Rauschens und werden daher auch häufig in einer Vielzahl elektronischer Fallengeräte verwendet. Insbesondere mit der Feldeffektröhre, die den Eingang und die Ausgangsstufe des gesamten elektronischen Geräts übernimmt, ist es schwierig, die Funktion des allgemeinen Transistors zu erreichen.

(6)MOSFETs werden in zwei Kategorien unterteilt: den Red-Junction-Typ und den Insulated-Gate-Typ, und ihre Manipulationsprinzipien sind die gleichen.

Tatsächlich ist die Triode billiger und bequemer zu verwenden. Sie wird häufig in alten Niederfrequenz-Fischern verwendet. MOSFETs werden für Hochfrequenz-Hochgeschwindigkeitsschaltungen und Hochstromanlässe verwendet. Daher ist die neue Art von Hochfrequenz-Ultraschall-Fischern unerlässlich ist dasgroßer MOS. Im Allgemeinen ist die Verwendung von Transistoren bei kostengünstigen Gelegenheiten die erste, die im Allgemeinen in Betracht gezogen wird, und nicht, wenn MOS berücksichtigt werden soll.

MOSFET-Fehlerursachen und Lösungen sind wie folgt

Erstens ist der Eingangswiderstand des MOSFET selbst sehr hoch und die Gate-Source-Zwischenelektrodenkapazität ist sehr klein, so dass er sehr anfällig für externe elektromagnetische Felder oder elektrostatische Induktivität ist und sich auflädt, und es kann sich eine kleine Ladungsmenge bilden In der Zwischenelektrodenkapazität der entsprechend hohen Spannung (U = Q / C) wird die Röhre beschädigt. Obwohl der MOS-Eingang der elektrischen Angelmaschine über antistatische Wartungsmaßnahmen verfügt, muss er dennoch sorgfältig behandelt werden. Bei der Lagerung und Lieferung der besten Metallbehälter oder Verpackungen aus leitfähigen Materialien darf keine leicht angreifbare statische Hochspannung angelegt werden chemische Materialien oder Chemiefasergewebe. Montage, Inbetriebnahme, Dinge, Aussehen, Arbeitsplatz usw. sollten eine hervorragende Erdung sein. Um Schäden durch elektrostatische Interferenzen des Bedieners zu vermeiden, sollten Sie beispielsweise kein Nylon, keine Chemiefaserkleidung, keine Hand oder ähnliches tragen, bevor Sie den integrierten Block berühren. Am besten verbinden Sie den Boden. Zum Richten und Biegen von Leitungen mit Geräten oder zum manuellen Schweißen ist der Einsatz von Geräten mit hervorragender Erdung erforderlich.