Wie funktionieren MOSFETs?

1, MOSFETEinführung

Abkürzung für FieldEffect Transistor (FET)) Titel MOSFET. durch eine kleine Anzahl von Ladungsträgern, die an der Wärmeleitung beteiligt sind, auch Multipoltransistor genannt. Es gehört zum spannungsbeherrschenden Halbsupraleitermechanismus. Es gibt einen hohen Ausgangswiderstand (10^8 ~ 10^9 Ω), geringes Rauschen, geringen Stromverbrauch, statische Reichweite, einfache Integration, kein zweites Durchbruchphänomen, die Versicherungsaufgabe des Meeres breit und andere Vorteile, die sich nun geändert haben der Bipolartransistor und der Power-Junction-Transistor der starken Mitarbeiter.

2, MOSFET-Eigenschaften

1. Der MOSFET ist ein Spannungssteuergerät, das über die VGS (Gate-Source-Spannung) die ID (Drain-DC) steuert.

2, MOSFETsDer Ausgangs-Gleichstrompol ist klein, daher ist der Ausgangswiderstand groß.

3, es ist die Anwendung einer kleinen Anzahl von Trägern zur Wärmeleitung, sodass er ein besseres Maß an Stabilität aufweist;

4, es besteht aus dem Reduktionspfad des elektrischen Reduktionskoeffizienten, der kleiner ist als die Triode, besteht aus dem Reduktionspfad des Reduktionskoeffizienten;

5, MOSFET-Antibestrahlungsfähigkeit;

6, aufgrund des Fehlens einer fehlerhaften Aktivität der Oligondispersion, die durch verstreute Rauschpartikel verursacht wird, ist das Rauschen daher gering.

3、MOSFET-Aufgabenprinzip

MOSFETsDas Funktionsprinzip ist in einem Satz zusammengefasst: „Drain-Source-Durchfluss zwischen dem ID-Kanal für das Gate und dem Kanal zwischen dem pn-Übergang, der durch die umgekehrte Vorspannung des Gate-Master-IDs gebildet wird“, genauer gesagt, der ID-Durchfluss durch die Breite Der Grund für die erweiterte Variationskontrolle ist die Änderung der Sperrvorspannung des pn-Übergangs, die eine Verarmungsschicht erzeugt. Da im ungesättigten Meer von VGS = 0 die Ausdehnung der Übergangsschicht nicht sehr groß ist, werden durch die Hinzufügung des Magnetfelds von VDS zwischen Drain und Quelle einige Elektronen im Quellmeer weggezogen Drain, dh es gibt eine DC-ID-Aktivität vom Drain zur Source. Die mäßige Schicht, die sich vom Gate zum Drain vergrößert, sorgt dafür, dass der gesamte Kanalkörper einen blockierenden Typ mit vollem ID bildet. Nennen Sie diese Form eine Abzweigung. Dies symbolisiert die Übergangsschicht zum Kanal eines gesamten Hindernisses, anstatt dass die Gleichstromversorgung abgeschaltet wird.

Da es in der Übergangsschicht keine freie Bewegung von Elektronen und Löchern gibt, hat sie im Idealfall nahezu isolierende Eigenschaften und es ist für den allgemeinen Strom schwierig, zu fließen. Aber dann ist das elektrische Feld zwischen Drain und Source tatsächlich die beiden Übergangsschichten, die Drain und Gate-Pol in der Nähe des unteren Teils kontaktieren, weil das elektrische Driftfeld die Hochgeschwindigkeitselektronen durch die Übergangsschicht zieht. Die Intensität des Driftfeldes ist nahezu konstant und sorgt für die Fülle der ID-Szene.

Die Schaltung verwendet eine Kombination aus einem verbesserten P-Kanal-MOSFET und einem verbesserten N-Kanal-MOSFET. Wenn der Eingang niedrig ist, leitet der P-Kanal-MOSFET und der Ausgang ist mit dem Pluspol der Stromversorgung verbunden. Wenn der Eingang hoch ist, leitet der N-Kanal-MOSFET und der Ausgang ist mit der Stromversorgungsmasse verbunden. In dieser Schaltung arbeiten der P-Kanal-MOSFET und der N-Kanal-MOSFET immer in entgegengesetzten Zuständen, wobei ihre Phaseneingänge und -ausgänge umgekehrt sind.