Richtlinien für die MOSFET-Paketauswahl

Zweitens die Größe des Systems

Einige elektronische Systeme sind durch die Größe der Leiterplatte und des Inneren begrenzt Höhe, sWie Kommunikationssysteme verwenden modulare Stromversorgungen aufgrund von Höhenbeschränkungen normalerweise DFN5 * 6-, DFN3 * 3-Pakete; In einigen ACDC-Netzteilen ist die Verwendung eines ultradünnen Designs oder aufgrund der Einschränkungen des Gehäuses die Montage des TO220-Pakets und der direkt in die Wurzel eingefügten Leistungs-MOSFET-Füße aufgrund von Höhenbeschränkungen nicht möglich, das TO247-Paket zu verwenden. Bei einigen ultradünnen Designs werden die Gerätestifte direkt flach gebogen, wodurch dieser Design-Produktionsprozess komplex wird.

Drittens der Produktionsprozess des Unternehmens

TO220 verfügt über zwei Arten von Gehäusen: blanke Metallgehäuse und Vollkunststoffgehäuse. Der Wärmewiderstand des blanken Metallgehäuses ist gering und die Wärmeableitungsfähigkeit ist stark. Im Produktionsprozess muss jedoch ein Isolationsabfall hinzugefügt werden. Der Produktionsprozess ist komplex und kostspielig. Während der Wärmewiderstand des Vollkunststoffgehäuses groß ist, ist die Wärmeableitungsfähigkeit schwach, aber der Produktionsprozess ist einfach.

Um den künstlichen Prozess des Verriegelns von Schrauben zu reduzieren, verwenden einige elektronische Systeme in den letzten Jahren Clips zur StromversorgungMOSFETs Im Kühlkörper festgeklemmt, so dass die Entstehung des traditionellen TO220-Teils im oberen Teil der Entfernung von Löchern in der neuen Form der Kapselung, aber auch der Reduzierung der Höhe des Geräts dient.

Viertens Kostenkontrolle

In einigen äußerst kostensensiblen Anwendungen wie Desktop-Motherboards und -Boards werden aufgrund der geringen Kosten solcher Pakete normalerweise Leistungs-MOSFETs in DPAK-Gehäusen verwendet. Berücksichtigen Sie daher bei der Auswahl eines Leistungs-MOSFET-Gehäuses die oben genannten Faktoren in Kombination mit dem Stil und den Produktmerkmalen Ihres Unternehmens.

Fünftens wählen Sie in den meisten Fällen die Spannungsfestigkeit BVDSS, da das Design des Eingangs voLänge der Elektronik Das System ist relativ festgelegt. Das Unternehmen hat einen bestimmten Lieferanten mit einer bestimmten Materialnummer ausgewählt. Die Nennspannung des Produkts ist ebenfalls festgelegt.

Die Durchbruchspannung BVDSS von Leistungs-MOSFETs im Datenblatt hat definierte Testbedingungen mit unterschiedlichen Werten unter verschiedenen Bedingungen, und BVDSS hat einen positiven Temperaturkoeffizienten, bei der tatsächlichen Anwendung sollte die Kombination dieser Faktoren umfassend berücksichtigt werden.

Viele Informationen und Literatur werden oft erwähnt: Wenn der VDS des Leistungs-MOSFETs mit der höchsten Spitzenspannung größer als der BVDSS ist, gerät der Leistungs-MOSFET in die Lawine, selbst wenn die Dauer der Spitzenimpulsspannung nur wenige oder mehrere zehn ns beträgt und somit entsteht ein Schaden.

Im Gegensatz zu Transistoren und IGBTs haben Leistungs-MOSFETs die Fähigkeit, Lawinen zu widerstehen, und viele große Halbleiterunternehmen liefern Strom-MOSFETs. Die Lawinenenergie in der Produktionslinie ist eine vollständige Inspektion und eine 100-prozentige Erkennung, das heißt, in den Daten handelt es sich um eine garantierte Messung der Lawinenspannung Normalerweise beträgt die BVDSS das 1,2- bis 1,3-fache, und die Dauer dieser Zeit beträgt normalerweise μs, sogar ms, dann beträgt die Dauer nur wenige oder zehn ns, viel niedriger als die Avalanche-Spannungsspitzenimpulsspannung, führt nicht zu Schäden am Leistungs-MOSFET.

Sechs, durch die Auswahl der Antriebsspannung VTH

Verschiedene elektronische Leistungs-MOSFET-Systeme haben unterschiedliche Antriebsspannungen ausgewählt. Die AC/DC-Stromversorgung verwendet normalerweise eine 12-V-Antriebsspannung und der DC/DC-Wandler des Notebook-Motherboards verwendet eine 5-V-Antriebsspannung. Wählen Sie daher entsprechend der Antriebsspannung des Systems eine andere Schwellenspannung VTH-Leistungs-MOSFETs.

Die Schwellenspannung VTH von Leistungs-MOSFETs im Datenblatt hat ebenfalls definierte Testbedingungen und weist unter verschiedenen Bedingungen unterschiedliche Werte auf, und VTH hat einen negativen Temperaturkoeffizienten. Unterschiedliche Antriebsspannungen VGS entsprechen unterschiedlichen Einschaltwiderständen, und in praktischen Anwendungen ist es wichtig, die Temperatur zu berücksichtigen

In praktischen Anwendungen sollten Temperaturschwankungen berücksichtigt werden, um sicherzustellen, dass der Leistungs-MOSFET vollständig eingeschaltet ist, und gleichzeitig sicherzustellen, dass die während des Abschaltvorgangs an den G-Pol gekoppelten Spitzenimpulse nicht durch Fehlauslösung ausgelöst werden einen Durchgang oder Kurzschluss erzeugen.