Sprechen Sie kurz über die Produktionsmethode eines Hochleistungs-MOSFET-Wärmeableitungsgeräts

Konkreter Plan: ein Hochleistungs-MOSFET-Wärmeableitungsgerät, einschließlich eines Hohlstrukturgehäuses und einer Leiterplatte. Die Leiterplatte ist im Gehäuse angeordnet. Mehrere nebeneinander liegende MOSFETs sind über Stifte mit beiden Enden der Leiterplatte verbunden. Es enthält auch eine Vorrichtung zum Komprimieren derMOSFETs. Der MOSFET befindet sich in der Nähe des Wärmeableitungsdruckblocks an der Innenwand des Gehäuses. Durch den Wärmeableitungsdruckblock verläuft ein erster Umlaufwasserkanal. Der erste Umlaufwasserkanal ist vertikal mit mehreren nebeneinander angeordneten MOSFETs angeordnet. Die Seitenwand des Gehäuses ist mit einem zweiten Umlaufwasserkanal parallel zum ersten Umlaufwasserkanal versehen, und der zweite Umlaufwasserkanal befindet sich in der Nähe des entsprechenden MOSFET. Der Wärmeableitungs-Druckblock ist mit mehreren Gewindelöchern versehen. Der Wärmeableitungs-Druckblock ist über Schrauben fest mit der Innenwand des Gehäuses verbunden. Die Schrauben werden von den Gewindelöchern an der Seitenwand des Gehäuses in die Gewindelöcher des Wärmeableitungs-Druckblocks eingeschraubt. Die Außenwand des Gehäuses ist mit einer Wärmeableitungsnut versehen. Auf beiden Seiten der Innenwand des Gehäuses sind Stützleisten zur Abstützung der Leiterplatte vorgesehen. Wenn der Wärmeableitungs-Druckblock fest mit der Innenwand des Gehäuses verbunden ist, wird die Leiterplatte zwischen den Seitenwänden des Wärmeableitungs-Druckblocks und den Stützstangen gedrückt. Dazwischen befindet sich eine IsolierfolieMOSFETund der Innenwand des Gehäuses, und zwischen dem Wärmeableitungsdruckblock und dem MOSFET befindet sich ein Isolierfilm. Die Seitenwand des Gehäuses ist mit einem Wärmeableitungsrohr versehen, das senkrecht zum ersten Umlaufwasserkanal verläuft. Ein Ende des Wärmeableitungsrohrs ist mit einem Kühler versehen und das andere Ende ist geschlossen. Der Kühler und das Wärmeableitungsrohr bilden einen geschlossenen Innenhohlraum, und der Innenhohlraum wird mit Kältemittel versorgt. Der Kühlkörper umfasst einen Wärmeableitungsring, der fest mit dem Wärmeableitungsrohr verbunden ist, und eine Wärmeableitungsrippe, die fest mit dem Wärmeableitungsring verbunden ist; Der Kühlkörper ist außerdem fest mit einem Kühlventilator verbunden.

Spezifische Effekte: Erhöhen Sie die Wärmeableitungseffizienz des MOSFET und verbessern Sie die LebensdauerMOSFET; Verbessern Sie die Wärmeableitungswirkung des Gehäuses und halten Sie die Temperatur im Inneren des Gehäuses stabil. einfache Struktur und einfache Installation.

Die obige Beschreibung ist nur ein Überblick über die technische Lösung der vorliegenden Erfindung. Um die technischen Mittel der vorliegenden Erfindung besser zu verstehen, kann sie gemäß dem Inhalt der Beschreibung implementiert werden. Um die oben genannten und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung offensichtlicher und verständlicher zu machen, werden im Folgenden bevorzugte Ausführungsformen zusammen mit den beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben.

Die Wärmeableitungsvorrichtung umfasst ein Hohlstrukturgehäuse 100 und eine Leiterplatte 101. Die Leiterplatte 101 ist im Gehäuse 100 angeordnet. Eine Anzahl nebeneinander liegender MOSFETs 102 sind über Stifte mit beiden Enden der Leiterplatte 101 verbunden. Es enthält außerdem einen Wärmeableitungs-Druckblock 103 zum Komprimieren des MOSFET 102, so dass der MOSFET 102 nahe an der Innenwand des Gehäuses 100 liegt. Durch den Wärmeableitungs-Druckblock 103 verläuft ein erster Umlaufwasserkanal 104. Der erste Umlaufwasserkanal 104 ist vertikal mit mehreren nebeneinander angeordneten MOSFETs 102 angeordnet.
Der Wärmeableitungs-Druckblock 103 drückt den MOSFET 102 gegen die Innenwand des Gehäuses 100 und ein Teil der Wärme des MOSFET 102 wird an das Gehäuse 100 weitergeleitet. Ein anderer Teil der Wärme wird an den Wärmeableitungsblock 103 weitergeleitet das Gehäuse 100 gibt die Wärme an die Luft ab. Die Wärme des Wärmeableitungsblocks 103 wird durch das Kühlwasser im ersten Umlaufwasserkanal 104 abgeführt, was die Wärmeableitungswirkung des MOSFET 102 verbessert. Gleichzeitig wird ein Teil der Wärme von anderen Komponenten im Gehäuse erzeugt 100 wird auch zum Wärmeableitungs-Druckblock 103 geleitet. Daher kann der Wärmeableitungs-Druckblock 103 die Temperatur im Gehäuse 100 weiter reduzieren und die Arbeitseffizienz und Lebensdauer anderer Komponenten im Gehäuse 100 verbessern; Das Gehäuse 100 weist eine hohle Struktur auf, so dass sich im Gehäuse 100 nicht so leicht Wärme ansammelt, wodurch verhindert wird, dass die Leiterplatte 101 überhitzt und durchbrennt. Die Seitenwand des Gehäuses 100 ist mit einem zweiten Umlaufwasserkanal 105 parallel zum ersten Umlaufwasserkanal 104 versehen, und der zweite Umlaufwasserkanal 105 befindet sich in der Nähe des entsprechenden MOSFET 102. Die Außenwand des Gehäuses 100 ist mit einer Wärmeableitungsnut 108 versehen. Die Wärme des Gehäuses 100 wird hauptsächlich durch das Kühlwasser im zweiten Umlaufwasserkanal 105 abgeführt. Ein weiterer Teil der Wärme wird über die Wärmeableitungsnut 108 abgeführt, wodurch die Wärmeableitungswirkung des Gehäuses 100 verbessert wird. Der Wärmeableitungs-Druckblock 103 ist mit mehreren Gewindelöchern 107 versehen. Der Wärmeableitungs-Druckblock 103 ist fest mit dem verbunden Innenwand des Gehäuses 100 durch Schrauben befestigt. Die Schrauben werden von den Gewindelöchern an den Seitenwänden des Gehäuses 100 in die Gewindelöcher des Wärmeableitungs-Druckblocks 103 eingeschraubt.

Bei der vorliegenden Erfindung erstreckt sich ein Verbindungsstück 109 vom Rand des Wärmeableitungsdruckblocks 103. Das Verbindungsstück 109 ist mit einer Anzahl von Gewindelöchern 107 versehen. Das Verbindungsstück 109 ist fest mit der Innenwand des Gehäuses 100 verbunden durch Schrauben. Auf beiden Seiten der Innenwand des Gehäuses 100 sind Stützstangen 106 vorgesehen, um die Leiterplatte 101 zu stützen. Wenn der Wärmeableitungsdruckblock 103 fest mit der Innenwand des Gehäuses 100 verbunden ist, wird die Leiterplatte 101 dazwischen gedrückt Seitenwände des Wärmeableitungs-Druckblocks 103 und der Stützstangen 106. Bei der Installation wird zunächst die Leiterplatte 101 auf die Oberfläche der Stützstange gelegt 106, und die Unterseite des Wärmeableitungs-Druckblocks 103 wird gegen die obere Oberfläche der Leiterplatte 101 gedrückt. Dann wird der Wärmeableitungs-Druckblock 103 mit Schrauben an der Innenwand des Gehäuses 100 befestigt. Zwischen dem Wärmeableitungsdruckblock 103 und der Stützstange 106 ist eine Klemmnut ausgebildet, um die Leiterplatte 101 festzuklemmen und so den Einbau und Ausbau der Leiterplatte 101 zu erleichtern. Gleichzeitig liegt die Leiterplatte 101 nahe an der Wärmeableitung Druckblock 103 . Daher wird die von der Leiterplatte 101 erzeugte Wärme zum Wärmeableitungsdruckblock 103 geleitet, und der Wärmeableitungsdruckblock 103 wird durch das Kühlwasser im ersten Umlaufwasserkanal 104 abgeführt, wodurch eine Überhitzung der Leiterplatte 101 verhindert wird und brennend. Vorzugsweise ist ein Isolierfilm zwischen dem MOSFET 102 und der Innenwand des Gehäuses 100 angeordnet, und ein Isolierfilm ist zwischen dem Wärmeableitungsdruckblock 103 und dem MOSFET 102 angeordnet.

Eine Hochleistungs-MOSFET-Wärmeableitungsvorrichtung umfasst ein Hohlstrukturgehäuse 200 und eine Leiterplatte 202. Die Leiterplatte 202 ist im Gehäuse 200 angeordnet. Eine Anzahl nebeneinander liegender MOSFETs 202 sind jeweils mit beiden Enden des Schaltkreises verbunden Platine 202 durch Stifte und umfasst außerdem einen Wärmeableitungsdruckblock 203 zum Komprimieren der MOSFETs 202, so dass die MOSFETs 202 liegen nahe an der Innenwand des Gehäuses 200. Ein erster Umlaufwasserkanal 204 verläuft durch den Wärmeableitungsdruckblock 203. Der erste Umlaufwasserkanal 204 ist vertikal mit mehreren Seite-an-Seite-MOSFETs 202 angeordnet. Die Seitenwand des Gehäuses ist mit einem Wärmeableitungsrohr 205 senkrecht dazu versehen der erste Umlaufwasserkanal 204 und ein Ende des Wärmeableitungsrohrs 205 ist mit einem Wärmeableitungskörper versehen 206. Das andere Ende ist geschlossen und der Wärmeableitungskörper 206 und das Wärmeableitungsrohr 205 bilden einen geschlossenen Innenhohlraum, in dem Kältemittel angeordnet ist. Der MOSFET 202 erzeugt Wärme und verdampft das Kältemittel. Beim Verdampfen nimmt es die Wärme vom Heizende (in der Nähe des Endes des MOSFET 202) auf und fließt dann vom Heizende zum Kühlende (vom Ende des MOSFET 202 weg). Wenn es am Kühlende auf Kälte trifft, gibt es Wärme an den Außenumfang der Rohrwand ab. Die Flüssigkeit fließt dann zum Heizende und bildet so einen Wärmeableitungskreislauf. Diese Wärmeableitung durch Verdampfung und Flüssigkeit ist wesentlich besser als die Wärmeableitung herkömmlicher Wärmeleiter. Der Wärmeableitungskörper 206 umfasst einen Wärmeableitungsring 207, der fest mit dem Wärmeableitungsrohr 205 verbunden ist, und eine Wärmeableitungsrippe 208, die fest mit dem Wärmeableitungsring 207 verbunden ist; Die Wärmeableitungsrippe 208 ist außerdem fest mit einem Kühlventilator 209 verbunden.

Der Wärmeableitungsring 207 und das Wärmeableitungsrohr 205 haben einen langen Montageabstand, so dass der Wärmeableitungsring 207 die Wärme im Wärmeableitungsrohr 205 schnell an den Kühlkörper 208 übertragen kann, um eine schnelle Wärmeableitung zu erreichen.