Analyse wichtiger Ursachen der MOSFET-Wärmeerzeugung

Das Funktionsprinzip des N-Typ- und des P-Typ-MOSFET ist im Wesentlichen dasselbe. Der MOSFET fügt hauptsächlich der Eingangsseite eine Gate-Spannung hinzu, um den Drain-Strom auf der Ausgangsseite erfolgreich zu steuern an das Gate, um die Eigenschaften des Geräts zu steuern, im Gegensatz zur Triode, um die Schaltzeit aufgrund des durch den Ladungsspeichereffekt verursachten Basisstroms in Schaltanwendungen zu bestimmen, MOSFETs In SchaltanwendungenMOSFETs Die Schaltgeschwindigkeit ist schneller als die der Triode.

In Schaltnetzteilen wird üblicherweise ein MOSFET-Open-Drain-Schaltkreis verwendet. Der Drain ist so wie er ist mit der Last verbunden Laststrom, ist das ideale analoge Schaltgerät, das das Prinzip des MOSFET zum Schalten von Geräten ist, und des MOSFET zum Schalten in Form mehrerer Schaltkreise.

Im Hinblick auf Schaltnetzteilanwendungen erfordert diese Anwendung MOSFETs B. DC-DC-Stromversorgungen, die üblicherweise in grundlegenden Abwärtswandlern verwendet werden, auf zwei MOSFETs angewiesen sind, um die Schaltfunktion auszuführen. Diese Schalter wechseln sich abwechselnd in der Induktivität ab, um Energie zu speichern, und geben die Energie an die Last ab Hunderte von kHz oder sogar mehr als 1 MHz, hauptsächlich weil die magnetischen Komponenten umso kleiner sind, je höher die Frequenz ist. Im Normalbetrieb entspricht der MOSFET einem Leiter, z. B. Hochleistungs-MOSFETs, Kleinspannungs-MOSFETs, Schaltkreisen, Stromversorgung ist der minimale Leitungsverlust des MOS.

MOSFET-PDF-Parameter: MOSFET-Hersteller haben den Parameter RDS (ON) erfolgreich übernommen, um die Impedanz im eingeschalteten Zustand zu definieren. Für Schaltanwendungen ist RDS (ON) die wichtigste Geräteeigenschaft. Datenblätter definieren RDS (ON), die Gate- (oder Antriebs-)Spannung VGS und der durch den Schalter fließende Strom hängen zusammen. Für eine angemessene Gate-Ansteuerung ist RDS (ON) ein relativ statischer Parameter; MOSFETs, die sich in der Leitung befanden, neigen zur Wärmeentwicklung, und langsam steigende Sperrschichttemperaturen können zu einem Anstieg des RDS (ON) führen;MOSFET Datenblätter geben den Parameter der thermischen Impedanz an, der als Fähigkeit des Halbleiterübergangs des MOSFET-Gehäuses zur Wärmeableitung definiert ist, und RθJC ist einfach als thermische Impedanz zwischen Übergang und Gehäuse definiert.

1. Wenn die Frequenz zu hoch ist und die Lautstärke manchmal zu hoch ist, führt dies direkt zu einer hohen Frequenz Aktueller Wert des MOSFET, um eine gute Wärmeableitung erreichen zu können; Liegt der ID-Wert unter dem maximalen Strom, kann es zu starker Hitzeentwicklung kommen, sodass geeignete Hilfskühlkörper erforderlich sind.

2, MOSFET-Auswahlfehler und Fehler bei der Leistungsbeurteilung, der MOSFET-Innenwiderstand wird nicht vollständig berücksichtigt, was direkt zu einer erhöhten Schaltimpedanz führt, wenn es um MOSFET-Erwärmungsprobleme geht.

3, aufgrund von Schaltungsdesignproblemen, die zu Wärme führen, so dass der MOSFET in einem linearen Betriebszustand arbeitet, nicht im Schaltzustand, was eine direkte Ursache für die MOSFET-Erwärmung ist, z. B. N-MOS-Schalten, der G- Die Pegelspannung muss um einige V höher sein als die der Stromversorgung, um vollständig leiten zu können. Beim P-MOS ist dies anders. Ohne eine vollständige Öffnung ist der Spannungsabfall zu groß, was zu einem Stromverbrauch führt. Die äquivalente Gleichstromimpedanz ist größer, der Spannungsabfall nimmt ebenfalls zu und U * I nimmt ebenfalls zu, und der Verlust führt zu Wärme.