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CMS8H1213 MCU Cmsemicon® Paket SSOP24 Batch 24+
Das Cmsemicon® MCU-Modell CMS8H1213 ist ein hochpräzises Mess-SoC auf Basis eines RISC-Kerns, das hauptsächlich in hochpräzisen Messbereichen wie Menschenwaagen, Küchenwaagen und Luftpumpen eingesetzt wird. Im Folgenden werden die detaillierten Parameter von ... vorgestellt.Mehr lesen -
Original Spot CMS79F726 Paket SOP20 Touch-Taste 8-poliger Mikrocontroller-Chip
Zu den detaillierten Parametern des Cmsemicon® MCU-Modells CMS79F726 gehört, dass es sich um einen 8-Bit-Mikrocontroller handelt und der Betriebsspannungsbereich 1,8 V bis 5,5 V beträgt. Dieser Mikrocontroller verfügt über 8Kx16 FLASH und 256x8 RAM und ist außerdem mit 128x8 Pro EE ausgestattet...Mehr lesen -
PCM3360Q Hochleistungs-Elektronikkomponenten Cmsemicon®-Gehäuse QFN32
Das Zhongwei-Modell PCM3360Q ist ein leistungsstarker Audio-Analog-Digital-Wandler (ADC), der hauptsächlich in Auto-Audiosystemen verwendet wird. Er verfügt über 6 ADC-Kanäle, kann analoge Eingangssignale verarbeiten und unterstützt Differenzeingänge bis zu 10 VRMS. Darüber hinaus integriert der Chip programmierbare...Mehr lesen -
Analyse von Enhancement- und Depletion-MOSFETs
Der D-FET befindet sich in der 0-Gate-Vorspannung, wenn der Kanal vorhanden ist und der FET leiten kann. Wenn kein Kanal vorhanden ist, befindet sich der E-FET in der 0-Gate-Vorspannung und kann den FET nicht leiten. Diese beiden Arten von FETs haben ihre eigenen Eigenschaften und Verwendungszwecke. Im Allgemeinen sind verbesserte FETs in Hochgeschwindigkeits- und Niedrigleistungssystemen...Mehr lesen -
Richtlinien für die Auswahl von MOSFET-Paketen
Zweitens ist die Größe des Systems begrenzt. Einige elektronische Systeme sind durch die Größe der Leiterplatte und die Innenhöhe begrenzt, z. B. Kommunikationssysteme und modulare Stromversorgungen. Aufgrund von Höhenbeschränkungen werden normalerweise DFN5 * 6- und DFN3 * 3-Gehäuse verwendet. in manchen ACDC-Netzteilen,...Mehr lesen -
Herstellungsverfahren für eine Hochleistungs-MOSFET-Treiberschaltung
Es gibt zwei Hauptlösungen: Die eine besteht in der Verwendung eines dedizierten Treiberchips zum Ansteuern des MOSFET oder in der Verwendung schneller Fotokoppler. Transistoren bilden eine Schaltung zum Ansteuern des MOSFET. Der erste Ansatz erfordert jedoch die Bereitstellung einer unabhängigen Stromversorgung. das andere...Mehr lesen -
Analyse wichtiger Ursachen der MOSFET-Wärmeerzeugung
Das Funktionsprinzip des N-Typ- und des P-Typ-MOSFET ist im Wesentlichen dasselbe. Der MOSFET fügt hauptsächlich der Eingangsseite eine Gate-Spannung hinzu, um den Drain-Strom auf der Ausgangsseite erfolgreich zu steuern zum Tor, um ...Mehr lesen -
So ermitteln Sie, dass der Hochleistungs-MOSFET durch den Burnout durchgebrannt ist
(1) MOSFET ist ein spannungsmanipulierendes Element, während Transistor ein strommanipulierendes Element ist. Da die Antriebsfähigkeit nicht verfügbar ist und der Antriebsstrom sehr gering ist, sollte ein MOSFET ausgewählt werden. und die Signalspannung ist niedrig und es wird versprochen, mehr Strom aus dem ... zu entnehmen.Mehr lesen -
Armaturenbretter von Elektrofahrzeugen sind anfällig für Ausfälle, vielleicht liegt das an der Qualität der verwendeten MOSFETs
Zu diesem Zeitpunkt gibt es auf dem Markt seit langem immer mehr Elektrofahrzeuge, ihre Umweltschutzfunktionen wurden erkannt und es gibt einen Trend zur Entwicklung von Mobilitätswerkzeugen für Dieselkraftstoff. Elektrofahrzeuge sind auch wie andere Mobilitätswerkzeuge, die Instrumente...Mehr lesen -
So verhindern Sie einen MOSFET-Ausfall
In dieser Phase der Branchenanwendung sind Adapterprodukte für Unterhaltungselektronikgeräte der erste Platz. Und je nach Hauptverwendungszweck von MOSFETs liegt die Nachfrage nach MOSFETs an zweiter Stelle bei Computer-Motherboards, NB, professionellen Computer-Netzteilen und LCD-Displays.Mehr lesen -
Das Laden von Lithiumbatterien kann leicht beschädigt werden, der WINSOK MOSFET hilft Ihnen!
Lithium als neuer umweltfreundlicher Batterietyp wird seit langem schrittweise in batteriebetriebenen Autos eingesetzt. Aufgrund der Eigenschaften wiederaufladbarer Lithium-Eisenphosphat-Batterien ist nicht bekannt, dass bei der Verwendung der Batterie ein Ladevorgang durchgeführt werden muss, um Wartungsarbeiten durchzuführen, um...Mehr lesen -
MOSFET-Gate-Source-Schutz
Der MOSFET selbst hat viele Vorteile, aber gleichzeitig weist der MOSFET eine empfindlichere kurzfristige Überlastfähigkeit auf, insbesondere in Hochfrequenzanwendungsszenarien. Daher müssen bei der Verwendung von Leistungs-MOSFETs wirksame Schutzschaltungen entwickelt werden, um die Stichfestigkeit zu verbessern. ..Mehr lesen
