WST4041 P-Kanal -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WST4041 ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET, der für den Einsatz in synchronen Abwärtswandlern entwickelt wurde.Es verfügt über eine hohe Zelldichte, die eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung ermöglicht.Der WST4041 erfüllt die Anforderungen der RoHS- und Green-Product-Standards und verfügt über eine 100-prozentige EAS-Garantie für zuverlässige Leistung.
Merkmale
Die Advanced Trench-Technologie zeichnet sich durch eine hohe Zelldichte und eine extrem niedrige Gate-Ladung aus, wodurch der CdV/dt-Effekt deutlich reduziert wird.Unsere Geräte verfügen über eine 100 % EAS-Garantie und umweltfreundliche Optionen.
Anwendungen
Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler, vernetzendes DC/DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigaretten, Controller, digitale Geräte, kleine Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik.
entsprechende Materialnummer
AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A, dintek DTS4501, ncepower NCE40P05Y,
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | -40 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -6,0 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -4,5 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | -24 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 12 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | -7 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 1.4 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=-1mA | --- | -0,03 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=-10V, ID=-3A | --- | 30 | 40 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-1A | --- | 40 | 58 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,8 | -1.2 | -2.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | 4.56 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=-28V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-28V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=-5V, ID=-3A | --- | 15 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | --- | Ω |
| Qg | Gesamte Gate-Ladung (-4,5 V) | VDS=-18V, VGS=-10V, ID=-4A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 1.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 2,0 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=15Ω | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 10 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 18 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 8 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 420 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 77 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 55 | --- |
