WST2088A N-Kanal 20 V 7,5 A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WST2088A ist der leistungsstärkste Trench-N-Kanal-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten kleinen Leistungsschalt- und Lastschaltanwendungen eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet. Der WST2088A erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen mit vollständiger Funktionszuverlässigkeit.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des Cdv/dt-Effekts, grünes Gerät verfügbar
Anwendungen
Leistungsschaltanwendungen, hart geschaltete und Hochfrequenzschaltkreise, unterbrechungsfreie Stromversorgung, elektronische Zigaretten, Controller, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik usw.
entsprechende Materialnummer
AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN usw.
Wichtige Parameter
Elektrische Eigenschaften (TJ=25 ℃, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 20 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei 4,5 V | 7.5 | A |
| ID@Tc=70℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei 4,5 V | 4.5 | A |
| IDP | Gepulster Drainstrom | 24 | A |
| PD@TA=25℃ | Gesamtverlustleistung | 1,25 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=4,5V, ID=6A | --- | 10.7 | 14 | mΩ |
| VGS=2,5V, ID=5A | --- | 12.8 | 17 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 0,4 | 0,63 | 1.2 | V |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=16V, VGS=0V. | --- | --- | 10 | uA |
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A | --- | 10 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 1.6 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 3.4 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDS = 10 V, VGS = 4,5 V, RG = 3,3 Ω, ID = 1 A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 15 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 33 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 13 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 590 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 125 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 90 | --- |
