WST2088 N-Kanal 20 V 8,8 A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Die WST2088 MOSFETs sind die fortschrittlichsten N-Kanal-Transistoren auf dem Markt.Sie verfügen über eine unglaublich hohe Zelldichte, was zu einer hervorragenden RDSON- und Gate-Ladung führt.Diese MOSFETs eignen sich perfekt für kleine Leistungsschalt- und Lastschaltanwendungen.Sie erfüllen die RoHS- und Green-Product-Anforderungen und wurden vollständig auf Zuverlässigkeit getestet.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedriger Gate-Ladung und ausgezeichnetem Cdv/dt-Effektabfall, was es zu einem umweltfreundlichen Gerät macht.
Anwendungen
Energieanwendungen, Schaltkreise mit harter Umschaltung und hoher Frequenz, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, E-Zigaretten, Controller, elektronische Geräte, kleine Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik.
entsprechende Materialnummer
AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214 usw.
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 20 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei 4,5 V | 8.8 | A |
| ID@Tc=70℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei 4,5 V | 6.2 | A |
| IDP | Gepulster Drainstrom | 40 | A |
| PD@TA=25℃ | Gesamtverlustleistung | 1.5 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
Elektrische Eigenschaften (TJ=25 ℃, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=4,5V, ID=6A | --- | 8 | 13 | mΩ |
| VGS=2,5V, ID=5A | --- | 10 | 19 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 0,5 | --- | 1.3 | V |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=16V, VGS=0V. | --- | --- | 10 | uA |
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A | --- | 16 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 3 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 4.5 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDS = 10 V, VGS = 4,5 V, RG = 3,3 Ω, ID = 1 A | --- | 10 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 13 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 28 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1400 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 170 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 135 | --- |
