WST2078 N&P-Kanal 20 V/-20 V 3,8 A/-4,5 A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WST2078 ist der beste MOSFET für kleine Leistungsschalter und Lastanwendungen. Es verfügt über eine hohe Zelldichte, die eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet. Es erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen und wurde für volle Funktionszuverlässigkeit zugelassen.
Merkmale
Fortschrittliche Technologie mit Gräben mit hoher Zelldichte, extrem niedriger Gate-Ladung und hervorragender Reduzierung von Cdv/dt-Effekten. Dieses Gerät ist außerdem umweltfreundlich.
Anwendungen
Hochfrequente punktgenaue synchrone Kleinleistungsschaltung eignet sich perfekt für den Einsatz in MB/NB/UMPC/VGA, zur Vernetzung von DC-DC-Stromversorgungssystemen, Lastschaltern, E-Zigaretten, Steuerungen, digitalen Produkten, kleinen Haushaltsgeräten und Verbrauchern Elektronik.
entsprechende Materialnummer
AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | |
| N-Kanal | P-Kanal | |||
| VDS | Drain-Source-Spannung | 20 | -20 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±12 | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei 4,5 V1 | 3.8 | -4,5 | A |
| ID@Tc=70℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei 4,5 V1 | 2.8 | -2.6 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 20 | -13 | A |
| PD@TA=25℃ | Gesamtverlustleistung3 | 1.4 | 1.4 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,024 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=4,5V, ID=3A | --- | 45 | 55 | mΩ |
| VGS=2,5V, ID=1A | --- | 60 | 80 | |||
| VGS=1,8V, ID=1A | --- | 85 | 120 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 0,5 | 0,7 | 1 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | -2,51 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±8V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V, ID=1A | --- | 8 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.5 | 3.5 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=10V, VGS=10V, ID=3A | --- | 7.8 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 1.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 2.1 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 13 | 23 | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 15 | 28 | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 3 | 5.5 | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 450 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 51 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 52 | --- |
