WST2078 N&P-Kanal 20 V/-20 V 3,8 A/-4,5 A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

kurze Beschreibung:

Modell-Nr:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

AUSWEIS:3,8A/-4,5A

Kanal:N&P-Kanal

Paket:SOT-23-6L

Produktübersicht:Der WST2078 MOSFET hat Nennspannungen von 20 V und -20 V.Er kann Ströme von 3,8 A und -4,5 A verarbeiten und hat Widerstandswerte von 45 mΩ und 65 mΩ.Der MOSFET verfügt sowohl über N&P-Kanalfunktionen als auch über ein SOT-23-6L-Gehäuse.

Anwendungen:E-Zigaretten, Controller, digitale Produkte, Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik.

Senden Sie uns eine E-Mail PDF

Produktdetail

Anwendung

Produkt Tags

Allgemeine Beschreibung

Der WST2078 ist der beste MOSFET für kleine Leistungsschalter und Lastanwendungen.Es verfügt über eine hohe Zelldichte, die eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet.Es erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen und wurde für volle Funktionszuverlässigkeit zugelassen.

Merkmale

Fortschrittliche Technologie mit Gräben mit hoher Zelldichte, extrem niedriger Gate-Ladung und hervorragender Reduzierung von Cdv/dt-Effekten.Dieses Gerät ist außerdem umweltfreundlich.

Anwendungen

Hochfrequente punktgenaue synchrone Kleinleistungsschaltung eignet sich perfekt für den Einsatz in MB/NB/UMPC/VGA, zur Vernetzung von DC-DC-Stromversorgungssystemen, Lastschaltern, E-Zigaretten, Steuerungen, digitalen Produkten, kleinen Haushaltsgeräten und Verbrauchern Elektronik.

entsprechende Materialnummer

AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.

Wichtige Parameter

Symbol	Parameter	Bewertung		Einheiten
Symbol	Parameter	N-Kanal	P-Kanal	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	20	-20	V
VGS	Gate-Source-Spannung	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 4,5 V1	3.8	-4,5	A
ID@Tc=70℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 4,5 V1	2.8	-2.6	A
IDM	Gepulster Drainstrom2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Gesamtverlustleistung3	1.4	1.4	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 150	-55 bis 150	℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	-55 bis 150	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Bedingungen	Mindest.	Typ.	Max.	Einheit
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-Temperaturkoeffizient	Bezug auf 25℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=4,5V, ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2,5V, ID=1A	---	60	80
		VGS=1,8V, ID=1A	---	85	120
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VGS=VDS, ID =250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeffizient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source-Leckstrom	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Vorwärtstranskonduktanz	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Torwiderstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Gate-Source-Ladung		---	1.5	---
Qgd	Gate-Drain-Ladung		---	2.1	---
Td(on)	Einschaltverzögerungszeit	VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Aufstiegszeit		---	13	23
Td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		---	15	28
Tf	Abfallzeit		---	3	5.5
Ciss	Eingangskapazität	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Ausgangskapazität		---	51	---
Krss	Rückübertragungskapazität		---	52	---