WST2011 Dual P-Kanal -20V -3,2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Die WST2011-MOSFETs sind die fortschrittlichsten P-Kanal-Transistoren auf dem Markt und zeichnen sich durch eine unübertroffene Zelldichte aus.Sie bieten eine außergewöhnliche Leistung mit niedrigem RDSON und niedriger Gate-Ladung, was sie ideal für kleine Leistungsschalt- und Lastschaltanwendungen macht.Darüber hinaus erfüllt der WST2011 die RoHS- und Green-Product-Standards und verfügt über eine vollständige Funktionszuverlässigkeitszulassung.
Merkmale
Die fortschrittliche Trench-Technologie ermöglicht eine höhere Zelldichte, was zu einem umweltfreundlichen Gerät mit extrem niedriger Gate-Ladung und ausgezeichnetem Rückgang des CdV/dt-Effekts führt.
Anwendungen
Hochfrequente punktgenaue synchrone Kleinleistungsschaltung eignet sich für den Einsatz in MB/NB/UMPC/VGA, zur Vernetzung von DC-DC-Stromversorgungssystemen, Lastschaltern, E-Zigaretten, Steuerungen, digitalen Produkten, kleinen Haushaltsgeräten und Unterhaltungselektronik .
entsprechende Materialnummer
AUF FDC634P, VISHAY Si3443DDV, NXP PMDT670UPE,
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | |
| 10s | Gleichgewichtszustand | |||
| VDS | Drain-Source-Spannung | -20 | V | |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei -4,5 V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei -4,5 V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Gesamtverlustleistung3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Gesamtverlustleistung3 | 1.2 | 0,9 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ | |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ | |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,5 | -1,0 | -1,5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | 3,95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Gesamte Gate-Ladung (-4,5 V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=-15V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 9.3 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 95 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 68 | --- |
