WSR200N08 N-Kanal 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSR200N08 ist der leistungsstärkste Trench-N-Ch-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet. Der WSR200N08 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen, 100 % EAS-Garantie mit vollständiger Funktionszuverlässigkeitszulassung.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar.
Anwendungen
Schaltanwendung, Energiemanagement für Wechselrichtersysteme, elektronische Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, BMS, Notstromversorgung, Drohnen, Medizin, Autoladen, Controller, 3D-Drucker, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik usw.
entsprechende Materialnummer
AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1 usw.
Wichtige Parameter
Elektrische Eigenschaften (TJ=25℃, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 80 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 200 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 144 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2, TC=25°C | 790 | A |
| EAS | Lawinenenergie, Einzelimpuls, L=0,5 mH | 1496 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom, Einzelimpuls, L=0,5mH | 200 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 345 | W |
| PD@TC=100℃ | Gesamtverlustleistung4 | 173 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 175 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | 175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V,ID=100A | --- | 2.9 | 3.5 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=80V, VGS=10V, ID=30A | --- | 197 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 31 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 75 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=50V, VGS=10V, RG=3Ω, ID=30A | --- | 28 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 18 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 42 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 54 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8154 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 1029 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 650 | --- |
