WSR200N08 N-Kanal 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

kurze Beschreibung:

Modell-Nr:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2,9 mΩ

AUSWEIS:200A

Kanal:N-Kanal

Paket:TO-220-3L

Produktübersicht:Der WSR200N08 MOSFET verträgt bis zu 80 Volt und 200 Ampere bei einem Widerstand von 2,9 Milliohm.Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät und wird in einem TO-220-3L-Gehäuse geliefert.

Anwendungen:Elektronische Zigaretten, kabellose Ladegeräte, Motoren, Batteriemanagementsysteme, Notstromquellen, unbemannte Luftfahrzeuge, Gesundheitsgeräte, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Steuergeräte, 3D-Druckmaschinen, elektronische Geräte, kleine Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik.

Senden Sie uns eine E-Mail PDF

Produktdetail

Anwendung

Produkt Tags

Allgemeine Beschreibung

Der WSR200N08 ist der leistungsstärkste Trench-N-Ch-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet.Der WSR200N08 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen, 100 % EAS-Garantie mit vollständiger Funktionszuverlässigkeit.

Merkmale

Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar.

Anwendungen

Schaltanwendung, Energiemanagement für Wechselrichtersysteme, elektronische Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, BMS, Notstromversorgung, Drohnen, Medizin, Autoladen, Controller, 3D-Drucker, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik usw.

entsprechende Materialnummer

AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1 usw.

Wichtige Parameter

Elektrische Eigenschaften (TJ=25℃, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Bewertung	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	80	V
VGS	Gate-Source-Spannung	±25	V
ID@TC=25℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	200	A
ID@TC=100℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	144	A
IDM	Gepulster Drainstrom2, TC=25°C	790	A
EAS	Lawinenenergie, Einzelimpuls, L=0,5 mH	1496	mJ
IAS	Lawinenstrom, Einzelimpuls, L=0,5mH	200	A
PD@TC=25℃	Gesamtverlustleistung4	345	W
PD@TC=100℃	Gesamtverlustleistung4	173	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 175	℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	175	℃

Symbol	Parameter	Bedingungen	Mindest.	Typ.	Max.	Einheit
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-Temperaturkoeffizient	Bezug auf 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VGS=VDS, ID =250uA	2,0	3,0	4,0	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeffizient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source-Leckstrom	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Torwiderstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Gesamt-Gate-Ladung (10 V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Gate-Source-Ladung		---	31	---
Qgd	Gate-Drain-Ladung		---	75	---
Td(on)	Einschaltverzögerungszeit	VDD=50V, VGS=10V, RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Aufstiegszeit		---	18	---
Td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		---	42	---
Tf	Abfallzeit		---	54	---
Ciss	Eingangskapazität	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Ausgangskapazität		---	1029	---
Krss	Rückübertragungskapazität		---	650	---