WSR140N12 N-Kanal 120 V 140 A TO-220-3L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSR140N12 ist der leistungsstärkste Trench-N-Kanal-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet.Der WSR140N12 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen, 100 % EAS-Garantie mit vollständiger Funktionszuverlässigkeitszulassung.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar.
Anwendungen
Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler, Netzwerk-DC/DC-Stromversorgungssystem, Stromversorgung, Medizintechnik, Großgeräte, BMS usw.
entsprechende Materialnummer
ST STP40NF12 usw.
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 120 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei 10 V (TC = 25 ℃) | 140 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom | 330 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie | 400 | mJ |
| PD | Gesamtverlustleistung... C=25℃) | 192 | W |
| RθJA | Wärmewiderstand, Verbindungsumgebung | 62 | ℃/W |
| RθJC | Wärmewiderstand, Anschlussgehäuse | 0,65 | ℃/W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 120 | --- | --- | V |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V, ID=30A | --- | 5,0 | 6.5 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 2,0 | --- | 4,0 | V |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=120V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=50V, VGS=10V, ID=15A | --- | 68,9 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 18.1 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 15.9 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=50V, VGS=10VRG=2Ω,ID=25A | --- | 30.3 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 33,0 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 59,5 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 11.7 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5823 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 778,3 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 17.5 | --- |
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