WSP6067A N&P-Kanal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

kurze Beschreibung:

Modell-Nr:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38 mΩ/80 mΩ

AUSWEIS:7A/-5A

Kanal:N&P-Kanal

Paket:SOP-8

Produktübersicht:Der WSP6067A MOSFET verfügt über einen Spannungsbereich von 60 Volt positiv und negativ, einen Strombereich von 7 Ampere positiv und 5 Ampere negativ, einen Widerstandsbereich von 38 Milliohm und 80 Milliohm, einen N&P-Kanal und ist in SOP-8 verpackt.

Anwendungen:E-Zigaretten, kabellose Ladegeräte, Motoren, Drohnen, Gesundheitswesen, Autoladegeräte, Steuerungen, digitale Geräte, Kleingeräte und Elektronik für Verbraucher.

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Produktdetail

Anwendung

Produkt Tags

Allgemeine Beschreibung

Die WSP6067A-MOSFETs sind die fortschrittlichsten für die Trench-P-Kanal-Technologie mit einer sehr hohen Zellendichte.Sie bieten eine hervorragende Leistung sowohl hinsichtlich des RDSON als auch der Gate-Ladung und sind für die meisten synchronen Abwärtswandler geeignet.Diese MOSFETs erfüllen die RoHS- und Green-Product-Kriterien, wobei 100 % EAS volle Funktionszuverlässigkeit garantieren.

Merkmale

Fortschrittliche Technologie ermöglicht die Bildung von Zellgräben mit hoher Dichte, was zu einer extrem niedrigen Gate-Ladung und einem hervorragenden CdV/dt-Effekt-Abfall führt.Unsere Geräte verfügen über eine 100-prozentige EAS-Garantie und sind umweltfreundlich.

Anwendungen

Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler, vernetzendes DC/DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Drohnen, medizinische Geräte, Autoladegeräte, Steuerungen, elektronische Geräte, kleine Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik .

entsprechende Materialnummer

AOS

Wichtige Parameter

Symbol	Parameter	Bewertung		Einheiten
Symbol	Parameter	N-Kanal	P-Kanal	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	60	-60	V
VGS	Gate-Source-Spannung	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	7.0	-5,0	A
ID@TC=100℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	4,0	-2,5	A
IDM	Gepulster Drainstrom2	28	-20	A
EAS	Einzelimpuls-Lawinenenergie3	22	28	mJ
IAS	Lawinenstrom	21	-24	A
PD@TC=25℃	Gesamtverlustleistung4	2,0	2,0	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 150	-55 bis 150	℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	-55 bis 150	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Bedingungen	Mindest.	Typ.	Max.	Einheit
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-Temperaturkoeffizient	Bezug auf 25℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=4,5V, ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VGS=VDS, ID =250uA	1	2	3	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeffizient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source-Leckstrom	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Vorwärtstranskonduktanz	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Torwiderstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Gate-Source-Ladung		---	2.6	---
Qgd	Gate-Drain-Ladung		---	4.1	---
Td(on)	Einschaltverzögerungszeit	VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Aufstiegszeit		---	34	---
Td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		---	23	---
Tf	Abfallzeit		---	6	---
Ciss	Eingangskapazität	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
Coss	Ausgangskapazität		---	65	---
Krss	Rückübertragungskapazität		---	45	---