WSP6067A N&P-Kanal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Die WSP6067A-MOSFETs sind die fortschrittlichsten für die Trench-P-Kanal-Technologie mit einer sehr hohen Zellendichte. Sie bieten eine hervorragende Leistung sowohl hinsichtlich des RDSON als auch der Gate-Ladung und sind für die meisten synchronen Abwärtswandler geeignet. Diese MOSFETs erfüllen die RoHS- und Green-Product-Kriterien, wobei 100 % EAS volle Funktionszuverlässigkeit garantieren.
Merkmale
Fortschrittliche Technologie ermöglicht die Bildung von Zellgräben mit hoher Dichte, was zu einer extrem niedrigen Gate-Ladung und einem hervorragenden CdV/dt-Effekt-Abfall führt. Unsere Geräte verfügen über eine 100-prozentige EAS-Garantie und sind umweltfreundlich.
Anwendungen
Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler, vernetzendes DC/DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Drohnen, medizinische Geräte, Autoladegeräte, Steuerungen, elektronische Geräte, kleine Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik .
entsprechende Materialnummer
AOS
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | |
| N-Kanal | P-Kanal | |||
| VDS | Drain-Source-Spannung | 60 | -60 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 7.0 | -5,0 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 4,0 | -2,5 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 28 | -20 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 22 | 28 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 21 | -24 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 2,0 | 2,0 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V, ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=4A | --- | 55 | 75 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 1 | 2 | 3 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | -5,24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V, ID=4A | --- | 28 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.8 | 4.3 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A | --- | 19 | 25 | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 2.6 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 4.1 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 3 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 34 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 23 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1027 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 65 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 45 | --- |
