WSP4888 Dual N-Kanal 30 V 9,8 A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSP4888 ist ein Hochleistungstransistor mit dichter Zellstruktur, ideal für den Einsatz in synchronen Abwärtswandlern.Es zeichnet sich durch hervorragende RDSON- und Gate-Ladungen aus und ist damit die erste Wahl für diese Anwendungen.Darüber hinaus erfüllt der WSP4888 sowohl die RoHS- als auch die Green-Product-Anforderungen und verfügt über eine 100-prozentige EAS-Garantie für zuverlässige Funktion.
Merkmale
Die Advanced Trench-Technologie zeichnet sich durch eine hohe Zelldichte und eine extrem niedrige Gate-Ladung aus, wodurch der CdV/dt-Effekt deutlich reduziert wird.Unsere Geräte verfügen über eine 100 % EAS-Garantie und umweltfreundliche Optionen.
Unsere MOSFETs unterliegen strengen Qualitätskontrollmaßnahmen, um sicherzustellen, dass sie den höchsten Industriestandards entsprechen.Jedes Gerät wird gründlich auf Leistung, Haltbarkeit und Zuverlässigkeit getestet, um eine lange Produktlebensdauer zu gewährleisten.Sein robustes Design ermöglicht es ihm, extremen Arbeitsbedingungen standzuhalten und eine unterbrechungsfreie Gerätefunktionalität zu gewährleisten.
Wettbewerbsfähige Preise: Trotz ihrer überlegenen Qualität sind unsere MOSFETs äußerst wettbewerbsfähige Preise und ermöglichen erhebliche Kosteneinsparungen ohne Leistungseinbußen.Wir glauben, dass alle Verbraucher Zugang zu qualitativ hochwertigen Produkten haben sollten, und unsere Preisstrategie spiegelt dieses Engagement wider.
Breite Kompatibilität: Unsere MOSFETs sind mit einer Vielzahl elektronischer Systeme kompatibel, was sie zu einer vielseitigen Wahl für Hersteller und Endbenutzer macht.Es lässt sich nahtlos in bestehende Systeme integrieren und verbessert die Gesamtleistung, ohne dass größere Designänderungen erforderlich sind.
Anwendungen
Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für den Einsatz in MB/NB/UMPC/VGA-Systemen, vernetzten DC-DC-Stromversorgungssystemen, Lastschaltern, E-Zigaretten, drahtlosen Ladegeräten, Motoren, Drohnen, medizinischen Geräten, Autoladegeräten, Controllern , Digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik.
entsprechende Materialnummer
AOS AO4832 AO4838 AO4914, ON NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 30 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 9.8 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 8,0 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 45 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 25 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 12 | A |
| PD@TA=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 2,0 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,034 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V, ID=8,5A | --- | 13.5 | 18 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 18 | 25 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | -5,8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V, ID=8A | --- | 9 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.8 | 2.9 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=8,8A | --- | 6 | 8.4 | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 1.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 2.5 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=15Ω | --- | 7.5 | 9.8 | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 9.2 | 19 | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 19 | 34 | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 4.2 | 8 | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 590 | 701 | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 98 | 112 | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 59 | 91 |
