WSP4447 P-Kanal -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSP4447 ist ein leistungsstarker MOSFET, der die Trench-Technologie nutzt und eine hohe Zelldichte aufweist.Er bietet eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung und eignet sich daher für den Einsatz in den meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen.Der WSP4447 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Standards und verfügt über eine 100-prozentige EAS-Garantie für absolute Zuverlässigkeit.
Merkmale
Die fortschrittliche Trench-Technologie ermöglicht eine höhere Zelldichte, was zu einem umweltfreundlichen Gerät mit extrem niedriger Gate-Ladung und ausgezeichnetem Rückgang des CdV/dt-Effekts führt.
Anwendungen
Hochfrequenzwandler für eine Vielzahl von Elektronikgeräten
Dieser Konverter wurde entwickelt, um eine Vielzahl von Geräten effizient mit Strom zu versorgen, darunter Laptops, Spielekonsolen, Netzwerkgeräte, E-Zigaretten, kabellose Ladegeräte, Motoren, Drohnen, medizinische Geräte, Autoladegeräte, Controller, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte und Verbraucher Elektronik.
entsprechende Materialnummer
AOS AO4425 AO4485, ON FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK, RUICHIPS RU40L10H.
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | -40 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID@TA=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -11 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -9,0 | A |
| IDM a | 300 µs gepulster Drainstrom (VGS=-10 V) | -44 | A |
| EAS b | Lawinenenergie, Einzelimpuls (L=0,1 mH) | 54 | mJ |
| IAS b | Lawinenstrom, Einzelimpuls (L=0,1 mH) | -33 | A |
| PD@TA=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 2,0 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=-10V, ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =-250uA | -1.4 | -1.9 | -2.4 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | 5.04 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | Gesamte Gate-Ladung (-4,5 V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 8 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 12 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 41 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 235 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 180 | --- |
