WSP4099 Dual-P-Kanal -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSP4099 ist ein leistungsstarker Trench-P-Kanal-MOSFET mit hoher Zelldichte.Er liefert hervorragende RDSON- und Gate-Ladungswerte und eignet sich daher für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen.Es erfüllt die RoHS- und GreenProduct-Standards und verfügt über eine 100-prozentige EAS-Garantie mit vollständiger Funktionszuverlässigkeitszulassung.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedriger Gate-Ladung, ausgezeichnetem CdV/dt-Effektabfall und einer 100 % EAS-Garantie sind alles Merkmale unserer umweltfreundlichen Geräte, die sofort verfügbar sind.
Anwendungen
Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für MB/NB/UMPC/VGA, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Drohnen, medizinische Versorgung, Autoladegeräte, Controller, digitale Produkte , kleine Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik.
entsprechende Materialnummer
AUF FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | -40 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, -VGS bei -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, -VGS bei -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | -22 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 25 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 2,0 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=-10V, ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-4,5A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =-250uA | -1,5 | -2,0 | -2,5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | 3,72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Gesamte Gate-Ladung (-4,5 V) | VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 7 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 98 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 72 | --- |
