WSP4088 N-Kanal 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSP4088 ist der leistungsstärkste Trench-N-Kanal-MOSFET mit sehr hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet.WSP4088 entspricht den RoHS- und Green-Product-Anforderungen, 100 % EAS-Garantie, volle Funktionszuverlässigkeit geprüft.
Merkmale
Zuverlässige und robuste, bleifreie und umweltfreundliche Geräte verfügbar
Anwendungen
Energiemanagement in Desktop-Computern oder DC/DC-Wandlern, elektronische Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Drohnen, Medizin, Autoladen, Controller, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik usw
entsprechende Materialnummer
AO AO4884 AO4882, ON FDS4672A, PANJIT PJL9424, DINTEK DTM4916 usw.
Wichtige Parameter
Absolute maximale Nennwerte (TA = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheit | |
| Gemeinsame Bewertungen | ||||
| VDSS | Drain-Source-Spannung | 40 | V | |
| VGSS | Gate-Source-Spannung | ±20 | ||
| TJ | Maximale Sperrschichttemperatur | 150 | °C | |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ||
| IS | Diodenkontinuierlicher Durchlassstrom | TA=25°C | 2 | A |
| ID | Kontinuierlicher Abflussstrom | TA=25°C | 11 | A |
| TA=70°C | 8.4 | |||
| IDM a | Gepulster Drainstrom | TA=25°C | 30 | |
| PD | Maximale Verlustleistung | TA=25°C | 2.08 | W |
| TA=70°C | 1.3 | |||
| RqJA | Wärmewiderstand-Verbindung zur Umgebung | t £ 10s | 30 | °C/W |
| Gleichgewichtszustand | 60 | |||
| RqJL | Thermischer Widerstandsübergang zu Blei | Gleichgewichtszustand | 20 | |
| IAS b | Lawinenstrom, Einzelimpuls | L=0,1 mH | 23 | A |
| EAS b | Lawinenenergie, Einzelimpuls | L=0,1 mH | 26 | mJ |
Kein Tee:Max.Der Strom wird durch den Bonddraht begrenzt.
Anmerkung b:UIS-getestet und Impulsbreite durch maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C begrenzt (Anfangstemperatur Tj=25 °C).
Elektrische Eigenschaften (TA = 25 C, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Test-Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit | |
| Statische Eigenschaften | |||||||
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | Null-Gate-Spannungs-Drainstrom | VDS=32V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VDS=VGS, IDS=250mA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | Gate-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| RDS(EIN) c | Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=10V, IDS=7A | - | 10.5 | 13 | mW | |
| TJ=125°C | - | 15.75 | - | ||||
| VGS=4,5V, IDS=5A | - | 12 | 16 | ||||
| Gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V, IDS=15A | - | 31 | - | S | |
| Diodeneigenschaften | |||||||
| VSD c | Diodendurchlassspannung | ISD=10A, VGS=0V | - | 0,9 | 1.1 | V | |
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | VDD=20V,ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms | - | 15.2 | - | ns | |
| ta | Aufladezeit | - | 9.4 | - | |||
| tb | Entladezeit | - | 5.8 | - | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | - | 9.5 | - | nC | ||
| Dynamische Eigenschaften d | |||||||
| RG | Torwiderstand | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | 0,7 | 1.1 | 1.8 | W | |
| Ciss | Eingangskapazität | VGS=0V,VDS=20V,Frequenz=1,0MHz | - | 1125 | - | pF | |
| Coss | Ausgangskapazität | - | 132 | - | |||
| Krss | Rückübertragungskapazität | - | 70 | - | |||
| td(EIN) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W | - | 12.6 | - | ns | |
| tr | Einschaltanstiegszeit | - | 10 | - | |||
| td(AUS) | Ausschaltverzögerungszeit | - | 23.6 | - | |||
| tf | Abschalt-Fallzeit | - | 6 | - | |||
| Gate-Ladungseigenschaften d | |||||||
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=7A | - | 9.4 | - | nC | |
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A | - | 20 | 28 | ||
| Qgth | Schwellenwert-Gate-Ladung | - | 2 | - | |||
| Qgs | Gate-Source-Ladung | - | 3.9 | - | |||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | - | 3 | - | |||
Hinweis c:
Pulstest ;Impulsbreite £ 300 ms, Arbeitszyklus £ 2 %.
