WSP4016 N-Kanal 40 V 15,5 A SOP-8 WINSOK MOSFET

kurze Beschreibung:

Modell-Nr:WSP4016

BVDSS:40V

RDSON:11,5 mΩ

AUSWEIS:15,5A

Kanal:N-Kanal

Paket:SOP-8

Produktübersicht:Die Spannung des WSP4016 MOSFET beträgt 40 V, der Strom beträgt 15,5 A, der Widerstand beträgt 11,5 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist SOP-8.

Anwendungen:Automobilelektronik, LED-Leuchten, Audio, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Schutzplatinen usw

Senden Sie uns eine E-Mail PDF

Produktdetail

Anwendung

Produkt Tags

Allgemeine Beschreibung

Der WSP4016 ist der leistungsstärkste Trench-N-Kanal-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der hervorragende RDSON- und Gate-Ladungen für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen bietet.Der WSP4016 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen, 100 % EAS-Garantie mit vollständiger Funktionszuverlässigkeit.

Merkmale

Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar.

Anwendungen

Weiße LED-Aufwärtswandler, Automobilsysteme, industrielle DC/DC-Umwandlungsschaltungen, E-Automobilelektronik, LED-Leuchten, Audio, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Schutzplatinen usw.

entsprechende Materialnummer

AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.

Wichtige Parameter

Symbol	Parameter	Bewertung	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	40	V
VGS	Gate-Source-Spannung	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	15.5	A
ID@TC=70℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	8.4	A
IDM	Gepulster Drainstrom2	30	A
PD@TA=25℃	Gesamtverlustleistung TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70℃	Gesamtverlustleistung TA=70°C	1.3	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 150	℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	-55 bis 150	℃

Elektrische Eigenschaften (TJ=25 ℃, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Bedingungen	Mindest.	Typ.	Max.	Einheit
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=10V, ID=7A	---	8.5	11.5	mΩ
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=4,5V, ID=5A	---	11	14.5	mΩ
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VGS=VDS, ID =250uA	1,0	1.8	2.5	V
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	25	uA
IGSS	Gate-Source-Leckstrom	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Vorwärtstranskonduktanz	VDS=5V, ID=15A	---	31	---	S
Qg	Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=7A	---	20	30	nC
Qgs	Gate-Source-Ladung		---	3.9	---
Qgd	Gate-Drain-Ladung		---	3	---
Td(on)	Einschaltverzögerungszeit	VDD=20V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω.	---	12.6	---	ns
Tr	Aufstiegszeit		---	10	---
Td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		---	23.6	---
Tf	Abfallzeit		---	6	---
Ciss	Eingangskapazität	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	1125	---	pF
Coss	Ausgangskapazität		---	132	---
Krss	Rückübertragungskapazität		---	70	---