WSP4016 N-Kanal 40 V 15,5 A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSP4016 ist der leistungsstärkste Trench-N-Kanal-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der hervorragende RDSON- und Gate-Ladungen für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen bietet. Der WSP4016 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen, 100 % EAS-Garantie mit vollständiger Funktionszuverlässigkeit.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar.
Anwendungen
Weiße LED-Aufwärtswandler, Automobilsysteme, industrielle DC/DC-Umwandlungsschaltungen, E-Automobilelektronik, LED-Leuchten, Audio, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Schutzplatinen usw.
entsprechende Materialnummer
AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 40 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 15.5 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 8.4 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 30 | A |
| PD@TA=25℃ | Gesamtverlustleistung TA=25°C | 2.08 | W |
| PD@TA=70℃ | Gesamtverlustleistung TA=70°C | 1.3 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
Elektrische Eigenschaften (TJ=25 ℃, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V, ID=7A | --- | 8.5 | 11.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 11 | 14.5 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 1,0 | 1.8 | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V, ID=15A | --- | 31 | --- | S |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 3.9 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 3 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=20V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. | --- | 12.6 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 10 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 23.6 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1125 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 132 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 70 | --- |
Notiz :
1.Pulstest: PW<= 300us Arbeitszyklus<= 2 %.
2. Konstruktionsbedingt garantiert, unterliegt keiner Produktionsprüfung.
