WSM340N10G N-Kanal 100 V 340 A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Kurzbeschreibung:

Modellnummer:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6 mΩ

AUSWEIS:340A

Kanal:N-Kanal

Paket:TOLL-8L

Produktübersicht:Die Spannung des WSM340N10G MOSFET beträgt 100 V, der Strom beträgt 340 A, der Widerstand beträgt 1,6 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist TOLL-8L.

Anwendungen:Medizinische Geräte, Drohnen, PD-Netzteile, LED-Netzteile, Industriegeräte usw.

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Produktdetails

Anwendung

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Allgemeine Beschreibung

Der WSM340N10G ist der leistungsstärkste Trench-N-Ch-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet. Der WSM340N10G erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen, 100 % EAS-Garantie mit vollständiger Funktionszuverlässigkeit.

Merkmale

Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar.

Anwendungen

Synchrongleichrichtung, DC/DC-Wandler, Lastschalter, medizinische Geräte, Drohnen, PD-Netzteile, LED-Netzteile, Industrieanlagen usw.

Wichtige Parameter

Absolute Höchstbewertungen

Symbol	Parameter	Bewertung	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	100	V
VGS	Gate-Source-Spannung	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei 10 V	340	A
ID@TC=100℃	Kontinuierlicher Drainstrom, VGS bei 10 V	230	A
IDM	Gepulster Drainstrom..TC=25°C	1150	A
EAS	Lawinenenergie, Einzelimpuls, L=0,5 mH	1800	mJ
IAS	Lawinenstrom, Einzelimpuls, L=0,5mH	120	A
PD@TC=25℃	Gesamtverlustleistung	375	W
PD@TC=100℃	Gesamtverlustleistung	187	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 175	℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	175	℃

Elektrische Eigenschaften (TJ=25℃, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Bedingungen	Min.	Typ.	Max.	Einheit
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-Temperaturkoeffizient	Bezug auf 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VGS=VDS, ID =250uA	2,0	3,0	4,0	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeffizient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source-Leckstrom	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Torwiderstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1,0	---	Ω
Qg	Gesamt-Gate-Ladung (10 V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Gate-Source-Ladung		---	80	---
Qgd	Gate-Drain-Ladung		---	60	---
Td(on)	Einschaltverzögerungszeit	VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω, RL=1Ω, IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Aufstiegszeit		---	50	---
Td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		---	228	---
Tf	Herbstzeit		---	322	---
Ciss	Eingangskapazität	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Ausgangskapazität		---	6160	---
Krss	Rückübertragungskapazität		---	220	---