WSM320N04G N-Kanal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSM320N04G ist ein Hochleistungs-MOSFET, der ein Trench-Design nutzt und eine sehr hohe Zelldichte aufweist. Er verfügt über eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung und eignet sich für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen. Der WSM320N04G erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen und garantiert 100 % EAS und volle Funktionszuverlässigkeit.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte und gleichzeitig niedriger Gate-Ladung für optimale Leistung. Darüber hinaus zeichnet es sich durch einen hervorragenden Rückgang des CdV/dt-Effekts, eine 100-prozentige EAS-Garantie und eine umweltfreundliche Option aus.
Anwendungen
Hochfrequenz-Point-of-Load-Synchron-Abwärtswandler, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, Elektrowerkzeuganwendung, elektronische Zigaretten, kabelloses Laden, Drohnen, Medizin, Autoladen, Controller, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik.
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 40 | V | |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V | |
| ID@TC=25℃ | Dauerstrom, VGS bei 10V1,7 | 320 | A | |
| ID@TC=100℃ | Dauerstrom, VGS bei 10V1,7 | 192 | A | |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 900 | A | |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 980 | mJ | |
| IAS | Lawinenstrom | 70 | A | |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 250 | W | |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 175 | ℃ | |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 1.2 | 1.5 | mΩ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 43 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 83 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 115 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 80 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8100 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 1200 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 800 | --- |
