WSM320N04G N-Kanal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

kurze Beschreibung:

Modell-Nr:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1,2 mΩ

AUSWEIS:320A

Kanal:N-Kanal

Paket:TOLL-8L

Produktübersicht:Der WSM320N04G MOSFET hat eine Spannung von 40 V, einen Strom von 320 A, einen Widerstand von 1,2 mΩ, einen N-Kanal und ein TOLL-8L-Gehäuse.

Anwendungen:Elektronische Zigaretten, kabelloses Laden, Drohnen, Medizin, Autoladen, Controller, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik.

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Produktdetail

Anwendung

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Allgemeine Beschreibung

Der WSM320N04G ist ein Hochleistungs-MOSFET, der ein Trench-Design nutzt und eine sehr hohe Zelldichte aufweist.Er verfügt über eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung und eignet sich für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen.Der WSM320N04G erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen und garantiert 100 % EAS und volle Funktionszuverlässigkeit.

Merkmale

Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte und gleichzeitig niedriger Gate-Ladung für optimale Leistung.Darüber hinaus zeichnet es sich durch einen hervorragenden Rückgang des CdV/dt-Effekts, eine 100-prozentige EAS-Garantie und eine umweltfreundliche Option aus.

Anwendungen

Hochfrequenz-Point-of-Load-Synchron-Abwärtswandler, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, Elektrowerkzeuganwendung, elektronische Zigaretten, kabelloses Laden, Drohnen, Medizin, Autoladen, Steuerungen, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte und Unterhaltungselektronik.

Wichtige Parameter

Symbol	Parameter	Bewertung	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	40	V
VGS	Gate-Source-Spannung	±20	V
ID@TC=25℃	Dauerstrom, VGS bei 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Dauerstrom, VGS bei 10V1,7	192	A
IDM	Gepulster Drainstrom2	900	A
EAS	Einzelimpuls-Lawinenenergie3	980	mJ
IAS	Lawinenstrom	70	A
PD@TC=25℃	Gesamtverlustleistung4	250	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 175	℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	-55 bis 175	℃

Symbol	Parameter	Bedingungen	Mindest.	Typ.	Max.	Einheit
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-Temperaturkoeffizient	Bezug auf 25℃, ID=1mA	---	0,050	---	V/℃
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=10V, ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=4,5V, ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VGS=VDS, ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeffizient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-6,94	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source-Leckstrom	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Vorwärtstranskonduktanz	VDS=5V, ID=50A	---	160	---	S
Rg	Torwiderstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1,0	---	Ω
Qg	Gesamt-Gate-Ladung (10 V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Gate-Source-Ladung		---	43	---
Qgd	Gate-Drain-Ladung		---	83	---
Td(on)	Einschaltverzögerungszeit	VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A.	---	30	---	ns
Tr	Aufstiegszeit		---	115	---
Td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		---	95	---
Tf	Abfallzeit		---	80	---
Ciss	Eingangskapazität	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	Ausgangskapazität		---	1200	---
Krss	Rückübertragungskapazität		---	800	---