WSF70P02 P-Kanal -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSF70P02 MOSFET ist das leistungsstärkste P-Kanal-Trench-Bauelement mit hoher Zelldichte.Es bietet hervorragende RDSON- und Gate-Ladung für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen.Das Gerät erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen, ist zu 100 % EAS-garantiert und wurde für volle Funktionszuverlässigkeit zugelassen.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedriger Gate-Ladung, hervorragender Reduzierung des CdV/dt-Effekts, einer 100 % EAS-Garantie und Optionen für umweltfreundliche Geräte.
Anwendungen
Hochfrequenz-Point-of-Load-Synchron-Abwärtswandler für MB/NB/UMPC/VGA, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Notstromversorgung, Drohnen, medizinische Versorgung, Autoladegeräte , Controller, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik.
entsprechende Materialnummer
AOS
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | |
| 10s | Gleichgewichtszustand | |||
| VDS | Drain-Source-Spannung | -20 | V | |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±12 | V | |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -70 | A | |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -36 | A | |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | -200 | A | |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 360 | mJ | |
| IAS | Lawinenstrom | -55,4 | A | |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 80 | W | |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ | |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ | |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=-4,5V, ID=-15A | --- | 6.8 | 9.0 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | 2,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Gesamte Gate-Ladung (-4,5 V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 13 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=-10V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 77 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 195 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 186 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 520 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 445 | --- |
