WSF6012 N&P-Kanal 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

kurze Beschreibung:

Modell-Nr:WSF6012

BVDSS:60V/-60V

RDSON:28mΩ/75mΩ

AUSWEIS:20A/-15A

Kanal:N&P-Kanal

Paket:TO-252-4L

Produktübersicht:Der WSF6012 MOSFET hat einen Spannungsbereich von 60 V und -60 V, kann Ströme von bis zu 20 A und -15 A verarbeiten, hat einen Widerstand von 28 mΩ und 75 mΩ, verfügt über N- und P-Kanäle und ist in TO-252-4L verpackt.

Anwendungen:E-Zigaretten, kabellose Ladegeräte, Motoren, Notstromversorgungen, Drohnen, Gesundheitswesen, Autoladegeräte, Controller, Elektronik, Haushaltsgeräte und Konsumgüter.

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Produktdetail

Anwendung

Produkt Tags

Allgemeine Beschreibung

Der WSF6012 MOSFET ist ein Hochleistungsgerät mit einem Design mit hoher Zelldichte.Es bietet eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung, die für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen geeignet ist.Darüber hinaus erfüllt es die RoHS- und Green-Product-Anforderungen und verfügt über eine 100-prozentige EAS-Garantie für volle Funktionalität und Zuverlässigkeit.

Merkmale

Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedriger Gate-Ladung, hervorragendem CdV/dt-Effektabfall, 100 % EAS-Garantie und umweltfreundlichen Geräteoptionen.

Anwendungen

Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler, vernetzendes DC-DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Notstromversorgungen, Drohnen, Gesundheitswesen, Autoladegeräte, Steuerungen, digitale Geräte, kleine Haushaltsgeräte, und Unterhaltungselektronik.

entsprechende Materialnummer

AOS AOD603A,

Wichtige Parameter

Symbol	Parameter	Bewertung		Einheiten
Symbol	Parameter	N-Kanal	P-Kanal	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	60	-60	V
VGS	Gate-Source-Spannung	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	15	-10	A
IDM	Gepulster Drainstrom2	46	-36	A
EAS	Einzelimpuls-Lawinenenergie3	200	180	mJ
IAS	Lawinenstrom	59	-50	A
PD@TC=25℃	Gesamtverlustleistung4	34.7	34.7	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 150	-55 bis 150	℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	-55 bis 150	-55 bis 150	℃

Symbol	Parameter	Bedingungen	Mindest.	Typ.	Max.	Einheit
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-Temperaturkoeffizient	Bezug auf 25℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=10V, ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=4,5V, ID=5A	---	37	45	mΩ
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VGS=VDS, ID =250uA	1	---	2.5	V
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeffizient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,24	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source-Leckstrom	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Vorwärtstranskonduktanz	VDS=5V, ID=8A	---	21	---	S
Rg	Torwiderstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3,0	4.5	Ω
Qg	Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	Gate-Source-Ladung		---	3.5	---
Qgd	Gate-Drain-Ladung		---	6.3	---
Td(on)	Einschaltverzögerungszeit	VDD=30V, VGS=4,5V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Aufstiegszeit		---	14.2	---
Td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		---	24.6	---
Tf	Abfallzeit		---	4.6	---
Ciss	Eingangskapazität	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	Ausgangskapazität		---	70	---
Krss	Rückübertragungskapazität		---	35	---