WSF6012 N&P-Kanal 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSF6012 MOSFET ist ein Hochleistungsgerät mit einem Design mit hoher Zelldichte. Es bietet eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung, die für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen geeignet ist. Darüber hinaus erfüllt es die RoHS- und Green-Product-Anforderungen und verfügt über eine 100-prozentige EAS-Garantie für volle Funktionalität und Zuverlässigkeit.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedriger Gate-Ladung, hervorragendem CdV/dt-Effektabfall, 100 % EAS-Garantie und umweltfreundlichen Geräteoptionen.
Anwendungen
Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler, vernetzendes DC-DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Notstromversorgung, Drohnen, Gesundheitswesen, Autoladegeräte, Steuerungen, digitale Geräte, kleine Haushaltsgeräte, und Unterhaltungselektronik.
entsprechende Materialnummer
AOS AOD603A,
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | |
| N-Kanal | P-Kanal | |||
| VDS | Drain-Source-Spannung | 60 | -60 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 34.7 | 34.7 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V, ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | -5,24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3,0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 6.3 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=30V, VGS=4,5V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 14.2 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 4.6 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 70 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 35 | --- |
