WSF4022 Dual N-Kanal 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSF4022 ist der leistungsstärkste Trench-Dual-N-Ch-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet. Der WSF4022 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen, 100 % EAS garantiert mit voller Funktion Zuverlässigkeit geprüft.
Merkmale
Für Lüfter-Vortreiber-H-Brücke, Motorsteuerung, Synchrongleichrichtung, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Notstromversorgung, Drohnen, medizinische Versorgung, Autoladegeräte, Controller, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik.
Anwendungen
Für Lüfter-Vortreiber-H-Brücke, Motorsteuerung, Synchrongleichrichtung, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Notstromversorgung, Drohnen, medizinische Versorgung, Autoladegeräte, Controller, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik.
entsprechende Materialnummer
AOS
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 40 | V | |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V | |
| ID | Abflussstrom (kontinuierlich) *AC | TK=25°C | 20* | A |
| ID | Abflussstrom (kontinuierlich) *AC | TK=100°C | 20* | A |
| ID | Abflussstrom (kontinuierlich) *AC | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Abflussstrom (kontinuierlich) *AC | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Gepulster Drainstrom | TK=25°C | 80* | A |
| EASb | Einzelimpuls-Lawinenenergie | L=0,5mH | 25 | mJ |
| IAS b | Lawinenstrom | L=0,5mH | 17.8 | A |
| PD | Maximale Verlustleistung | TK=25°C | 39.4 | W |
| PD | Maximale Verlustleistung | TK=100°C | 19.7 | W |
| PD | Energieverschwendung | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Energieverschwendung | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | 175 | ℃ | |
| TSTG | Betriebstemperatur/Lagertemperatur | -55~175 | ℃ | |
| RθJA geb | Wärmewiderstand Übergang-Umgebung | Steady State c | 60 | ℃/W |
| RθJC | Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse | 3.8 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| Statisch | ||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 40 | V | ||
| IDSS | Null-Gate-Spannungs-Drainstrom | VDS = 32 V, VGS = 0 V | 1 | µA | ||
| IDSS | Null-Gate-Spannungs-Drainstrom | VDS = 32 V, VGS = 0 V, TJ = 85 °C | 30 | µA | ||
| IGSS | Gate-Leckstrom | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(ein) d | Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS = 10 V, ID = 10 A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4,5 V, ID = 5 A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Gate Chargee | ||||||
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Gate-Source-Ladung | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | 2,75 | nC | |||
| Dynamik | ||||||
| Ciss | Eingangskapazität | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Ausgangskapazität | 95 | pF | |||
| Krss | Rückübertragungskapazität | 60 | pF | |||
| td (ein) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Einschaltanstiegszeit | 6.9 | ns | |||
| td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | 22.4 | ns | |||
| tf | Abschalt-Fallzeit | 4.8 | ns | |||
| Diode | ||||||
| VSDd | Diodendurchlassspannung | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Eingangskapazität | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Ausgangskapazität | 8.7 | nC | |||
