WSD80120DN56 N-Kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD80120DN56 MOSFET beträgt 85 V, der Strom beträgt 120 A, der Widerstand beträgt 3,7 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
Medizinischer Spannungs-MOSFET, Fotoausrüstungs-MOSFET, Drohnen-MOSFET, Industriesteuerungs-MOSFET, 5G-MOSFET, Automobilelektronik-MOSFET.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 85 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | Lawinenenergie, Einzelimpuls, L=0,5 mH | 320 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom, Einzelimpuls, L=0,5mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Gesamtverlustleistung | 53 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 175 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | 175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=10V,ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=50V , VGS=10V , ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 11 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=50V , VGS=10V , RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 18 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 395 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 180 | --- |
