WSD80100DN56 N-Kanal 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD80100DN56 MOSFET beträgt 80 V, der Strom beträgt 100 A, der Widerstand beträgt 6,1 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
Drohnen-MOSFET, Motoren-MOSFET, Automobilelektronik-MOSFET, Großgeräte-MOSFET.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 80 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| TJ | Maximale Sperrschichttemperatur | 150 | °C |
| ID | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | °C |
| ID | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Kontinuierlicher Drainstrom, VGS=10V,TC=100°C | 80 | A | |
| IDM | Gepulster Drainstrom, TC=25°C | 380 | A |
| PD | Maximale Verlustleistung,TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse | 0,8 | °C |
| EAS | Lawinenenergie, Einzelimpuls, L=0,5 mH | 800 | mJ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=40A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V , ID=20A | 80 | --- | --- | S |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=30V , VGS=10V , ID=30A | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 30 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=30V , VGS=10V , RG=2,5Ω, ICHD=2A ,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 19 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 70 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 30 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=25V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 410 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 315 | --- |
