WSD75N12GDN56 N-Kanal 120 V 75 A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD75N12GDN56 MOSFET beträgt 120 V, der Strom beträgt 75 A, der Widerstand beträgt 6 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
Anwendungsbereiche von WINSOK MOSFETs
MOSFET für medizinische Geräte, MOSFET für Drohnen, MOSFET für PD-Netzteile, MOSFET für LED-Netzteile, MOSFET für Industriegeräte.
MOSFET-AnwendungsgebieteWINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6226, AON6294, AON6298, AONS6292, AONS6692, AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDSS | Drain-Source-Spannung | 120 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID | 1 Kontinuierlicher Drainstrom (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Kontinuierlicher Drainstrom (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom | 320 | A |
| IAR | Einzelpuls-Lawinenstrom | 40 | A |
| EASa | Einzelpuls-Lawinenenergie | 240 | mJ |
| PD | Verlustleistung | 125 | W |
| TJ, Tstg | Betriebsübergangs- und Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TL | Maximale Temperatur zum Löten | 260 | ℃ |
| RθJC | Wärmewiderstand, Verbindung zum Gehäuse | 1,0 | ℃/W |
| RθJA | Wärmewiderstand, Übergang zur Umgebung | 50 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheiten |
| VDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS = 120 V, VGS = 0 V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Gate-Source-Vorwärtsleckage | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Gate-Source-Reverse-Leakage | VGS = -20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Gate-Schwellenspannung | VDS=VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3,0 | 3.5 | V |
| RDS(EIN)1 | Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=10V, ID=20A | -- | 6,0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Eingangskapazität | VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | -- | 429 | -- | pF | |
| Krss | Rückübertragungskapazität | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Torwiderstand | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(EIN) | Einschaltverzögerungszeit | ID =20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Aufstiegszeit | -- | 11 | -- | ns | |
| td(AUS) | Ausschaltverzögerungszeit | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Herbstzeit | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VGS = 0 ~ 10 V VDS = 50 VID =20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Diodendurchlassstrom | TK =25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Diodenimpulsstrom | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Diodendurchlassspannung | IS=6,0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | -- | 250 | -- | nC |
