WSD75100DN56 N-Kanal 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD75100DN56 MOSFET beträgt 75 V, der Strom beträgt 100 A, der Widerstand beträgt 5,3 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3G,BSC36NE7NS3G.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 75 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±25 | V |
| TJ | Maximale Sperrschichttemperatur | 150 | °C |
| ID | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | °C |
| IS | Dioden-Dauerdurchlassstrom, TC=25°C | 50 | A |
| ID | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Kontinuierlicher Drainstrom, VGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Gepulster Drainstrom, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Maximale Verlustleistung,TC=25°C | 155 | W |
| Maximale Verlustleistung,TC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | Wärmewiderstand-Verbindung zur Umgebung ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Wärmewiderstand-Verbindung zur Umgebung, stationärer Zustand | 60 | °C | |
| RqJC | Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse | 0,8 | °C |
| IAS | Lawinenstrom, Einzelimpuls, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Lawinenenergie, Einzelimpuls, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V , ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1,0 | 2 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=20V , VGS=10V , ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 17 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=30V , VGEN=10V , RG=1Ω, ICHD=1A ,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 14 | 26 | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | 245 | 395 | 652 | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | 100 | 195 | 250 |
