WSD60N12GDN56 N-Kanal 120 V 70 A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD60N12GDN56 MOSFET beträgt 120 V, der Strom beträgt 70 A, der Widerstand beträgt 10 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
Anwendungsbereiche von WINSOK MOSFETs
MOSFET für medizinische Geräte, MOSFET für Drohnen, MOSFET für PD-Netzteile, MOSFET für LED-Netzteile, MOSFET für Industriegeräte.
MOSFET-AnwendungsgebieteWINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Halbleiter MOSFET PDC974X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 120 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Abflussstrom | 70 | A |
| IDP | Gepulster Drainstrom | 150 | A |
| EAS | Lawinenenergie, Einzelimpuls | 53,8 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung | 140 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 120 | --- | --- | V |
| Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=10V,ID=10A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS(EIN) | VGS=4,5V,ID=10A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=50V , VGS=10V , ID=25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=50V , VGS=10V , RG=2Ω, ID=25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 10 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 112 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 330 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 11 | --- | ||
| IS | Kontinuierlicher Quellstrom | VG=VD=0V, Strom erzwingen | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Gepulster Quellstrom | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Diodendurchlassspannung | VGS=0V , IS=12A , TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | --- | 135 | --- | nC |
